[发明专利]基于双MOS管导通切换的单路AD采样电路、系统及方法

权利要求书

1.一种基于双MOS管导通切换的单路AD采样电路的采样方法，其特征在于，基于双MOS管导通切换的单路AD采样电路，包括：第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第二电阻和单片机；

所述第一MOS管和第二MOS管分别连接第一电阻和第二电阻；所述单片机包括AD管脚以及分别控制第一MOS管和第二MOS管导通的第一控制管脚和第二控制管脚；所述AD管脚连接至第一电阻与第二电阻并联的并联节点，用于测量第一MOS管和第二MOS管导通切换的电压值；

其中，通过第一控制管脚控制第一MOS管导通，通过第二控制管脚控制第二MOS管关断，由被测电池、第一MOS管、第一电阻和被测温度传感器构成第一回路，由AD管脚获取第一回路电压；

通过第二控制管脚控制第二MOS管导通，由被测电池、第一MOS管、第一电阻、第二电阻和被测电阻构成第二回路，由AD管脚获取第二回路电压；

根据第一回路电压和第二回路电压得到被测电池的电压和被测温度传感器的电阻。

2.一种基于双MOS管导通切换的单路AD采样电路的采样系统，其特征在于，包括权利要求1所述的单路AD采样电路，其中所述第一MOS管的一端连接被测电池，所述第一电阻和第二电阻并联的并联节点连接被测温度传感器，根据AD管脚测量的第一MOS管和第二MOS管导通切换的电压值得到被测电池的电压和被测温度传感器的电阻。

3.如权利要求1所述的一种基于双MOS管导通切换的单路AD采样电路的采样方法，其特征在于，所述第一控制管脚和第二控制管脚通过输出高电平、低电平控制第一MOS管和第二MOS管的关断和导通。

4.如权利要求1所述的一种基于双MOS管导通切换的单路AD采样电路的采样方法，其特征在于，通过第一控制管脚和第二控制管脚控制第一MOS管和第二MOS管的导通和关断，改变第一电阻和第二电阻的并联电阻值，以此改变由AD管脚获取的电压值。

5.如权利要求1所述的一种基于双MOS管导通切换的单路AD采样电路的采样方法，其特征在于，所述第一回路电压VAD1为：

其中，VCC为电池电压；R1为第一电阻；RT为被测温度传感器的电阻。

6.如权利要求1所述的一种基于双MOS管导通切换的单路AD采样电路的采样方法，其特征在于，所述第二回路电压VAD2为：

其中，VCC为电池电压；R1为第一电阻；R2为第二电阻；RT为被测温度传感器的电阻。

7.如权利要求1所述的一种基于双MOS管导通切换的单路AD采样电路的采样方法，其特征在于，根据第一回路电压VAD1和第二回路电压VAD2得到被测电池的电压VCC和被测温度传感器的电阻RT为：

其中，R1为第一电阻；R2为第二电阻。

8.如权利要求1所述的一种基于双MOS管导通切换的单路AD采样电路的采样方法，其特征在于，得到被测电池的电压和被测温度传感器的电阻后，控制第一控制管脚输出高电平，关闭后级采样电路。

9.如权利要求1所述的一种基于双MOS管导通切换的单路AD采样电路的采样方法，其特征在于，第一控制管脚为单片机的POWER_Control控制管脚，第二控制管脚为单片机的IO_Control控制管脚。