[发明专利]一种1T@2H-MoS2

说明书

本发明公开一种1T@2H‑MoS₂/SnS₂光催化剂的制备方法，涉及光催化剂技术领域，本发明包括以下步骤：(1)混合配液；(2)水热合成；(3)分离洗涤，获得1T@2H‑MoS₂/SnS₂光催化剂。本发明还提供由上述制备方法制得的1T@2H‑MoS₂/SnS₂光催化剂及其应用。本发明的有益效果在于：本发明采用一步合成法制备产物，制备方法简单，制得的1T@2H‑MoS₂/SnS₂异质复合物具有良好的光催化降解性能，且具有良好的稳定性和再循环性。

技术领域

本发明涉及光催化剂技术领域，具体涉及一种1T@2H-MoS₂/SnS₂可见光响应光催化剂的制备方法、产物及应用。

背景技术

制备工艺简单，组分可控且可见光催化活性高的复合光催化剂的设计是半导体催化剂领域非常重要的研究方向。作为两种重要的金属硫化物半导体材料，MoS₂和SnS₂的带隙都落在可见光的范围(2eV左右)，而且结构上还有一定的相似性，所以构建MoS₂/SnS₂异质结并开展相应的光催化研究十分有价值。

尽管存在几例关于MoS₂/SnS₂异质结催化性能的报道(Zhang J,Huang G,Zeng J,et al.SnS₂ nanosheets coupled with 2D ultrathin MoS₂ nanolayers as face-to-face 2D/2D heterojunction photocatalysts with excellent photocatalytic andphotoelectrochemical activities[J].Journal of Alloys and Compounds,2018,726-735，Xiao X,Wang Y,Xu X,et al.Preparation of the flower-like MoS2/SnS2heterojunction as an efficient electrocatalyst for hydrogen evolutionreaction[J].Molecular Catalysis,2020,487:110890.)，但组成中基本限于单一的2H相MoS₂。由于2H相导电性差且活性位点少，所以催化性能并不理想。

实际上，MoS₂可以以稳定的半导体相(2H)和亚稳态的金属相(1T) 甚至1T-2H的混合相存在，1T-MoS₂的最大优点是其良好的导电性，导电能力是2H-MoS₂半导体相的10⁷倍以上，另外一点优势就是暴露的边缘活性位点多。众所周知，对于半导体pn结光催化剂，界面处载流子分离的驱动力是内建电场，由于半导体本身的导电性差，在界面处的载流子分离和迁移并不理想。因此，许多异质结光催化剂特别添加了具有良好导电性的贵金属或乙炔黑纳米点作为桥接。构建由片状SnS₂和1T@2H-MoS₂混合相组成的复合结构具有实用价值，利用这两个相的协同作用来改善体系的光催化性能。在这样的混合体系中，2H-MoS₂和SnS₂结合形成半导体异质结，充当良好的光敏剂和催化剂，而1T-MoS₂主要充当电子迁移的通道和共催化剂。