[发明专利]包括温度感测电路的半导体器件

说明书

半导体器件包括：控制信号发生电路，其被配置为响应于时钟信号将测试模式信号移位以产生多个控制信号；以及多个温度感测电路，其各自包括具有根据温度而变化的电阻的第一电阻器，并被配置为：响应于所述多个控制信号之中的对应的控制信号，基于所述电阻而产生温度感测信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年11月21日提交的申请号为10-2019-0150219的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各个实施例涉及具有温度感测电路的半导体器件，并且更具体地，涉及一种半导体器件及其操作方法，该半导体器件能够通过使用具有简单结构的温度感测电路来有效地感测多个区域的温度。

背景技术

诸如CPU、存储器和门阵列的以集成芯片来实施的各种半导体器件，被并入并用于各种消费或工业电子设备中，诸如计算机、移动电话、便携式数字助理(PDA)、数码相机、游戏机、服务器和工作站等。半导体存储器可以是易失性存储器件，诸如静态RAM(SRAM)或动态RAM(DRAM)，或者是非易失性存储器件，诸如只读存储器(ROM)、掩码ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、铁电RAM(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻式RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)或闪存。

当作为易失性存储器件的DRAM断电时，存储单元中所储存的数据丢失。为了持续地保存其存储单元中所储存的数据，DRAM周期性地执行刷新操作，从而导致功耗。在这种情况下，由于DRAM存储单元的数据保留时间随温度而变化，因此需要精确地测量DRAM的温度变化，以便通过以适当地周期执行刷新操作来减少DRAM的功耗。

特别地，就需要精细DRAM处理和高速操作的图形DRAM(比如图形双倍数据速率6(GDDR6))而言，温度变化可能会对DRAM的特性和性能产生重大影响。因此，有必要在测试阶段监测DRAM的每个区域的温度，并且在DRAM工作时分析在DRAM的不同区域之间的温度变化以及温度-性能关系。

在相关技术中，温度信息输出器件(例如，片上热感测器(ODTS))被设置在存储器件的特定区域中以测量内部温度。然而，由于温度信息输出器件占据相对较大的面积，因此在存储器件的有限区域内应用温度信息输出器件并不容易。另外，为了详细分析存储器件内部的温度分布，需要测量多个子区域的温度。在这种情况下，本发明的实施例应运而生。

发明内容

各个实施例旨在提供一种半导体器件及其操作方法，所述半导体器件能够将温度感测电路的结构最小化、测量半导体器件的多个区域的温度并分析每个细分区域的温度。

在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：控制信号发生电路，其被配置为响应于时钟信号将测试模式信号移位以产生多个控制信号；和多个温度感测电路，其各自包括具有根据温度而变化的电阻的第一电阻器，并且被配置为：响应于所述多个控制信号之中的相应的控制信号，基于所述电阻而产生温度感测信号。

在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：控制信号发生电路，其被配置为在测试模式下顺序地产生多个控制信号；和多个温度感测电路，其各自被配置为响应于所述多个控制信号之中的相应的控制信号基于第一电阻器和第二电阻器而产生温度感测信号，所述第一电阻器和所述第二电阻器彼此对于温度具有不同的电阻，其中，所述多个温度感测电路之中的每一个包括：温度感测单元，其被配置为响应于选择信号基于所述第一电阻器和所述第二电阻器而顺序地产生第一温度感测信号和第二温度感测信号；和输出单元，其被配置为响应于所述多个控制信号之中的相应的控制信号而输出所述第一温度感测信号和所述第二温度感测信号。