[发明专利]一种基于虚拟井的断溶体储层刻画方法

说明书

本发明公开了一种基于虚拟井的断溶体储层刻画方法。该断溶体储层刻画方法包括以下步骤：S100、选取基准井，在断裂两侧的非储层位置建立虚拟井；S200、将所述基准井的声波曲线赋予所述虚拟井；利用所述虚拟井进行地震反演，以此建立反映地层格架的波阻抗模型；S300、以目标区内实钻井参与进行地震反演；S400、将S300得到的地震反演结果与所述反映地层格架的波阻抗模型做差，刻画所述断溶体储层。本发明可有效刻画断裂破碎带储层，解决了断溶体储层内部反射弱、地层界面反射影响大、储层预测难度大等问题，对指导深层断控储层的勘探开发具有重要意义。

技术领域

本发明涉及油气勘探技术领域，具体涉及一种基于虚拟井的断溶体储层刻画方法。

背景技术

碳酸盐岩断溶体储层主要受控于走滑断裂，断裂破碎带为主要储集空间，在地震上主要表现为杂乱反射特征，其反射强度较弱，同时受地层界面影响，常规地震属性和地震反演难以对断溶体内幕储层进行有效刻画，现有的结构张量等地震结构类属性可刻画断溶体边界，但存在分辨率不足等问题，断溶体内幕储层结构难以有效刻画；常规的地震反演对以杂乱弱反射为主的断溶体储层预测效果不理想。

本发明通过在断裂破碎带两侧致密地层位置建立若干虚拟井，借助未钻遇储层井信息建立反映地层骨架的波阻抗模型，最后将实钻井参与的地震反演结果和地层格架阻抗求差，该残差突出断裂破碎带低阻抗信息，可有效刻画断裂破碎带储层，对指导深层断控储层的勘探开发具有重要意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于虚拟井的断溶体储层刻画方法，以解决断溶体储层内部反射弱、地层界面反射影响大、储层预测难度大等问题，为断控缝洞油藏的勘探开发提供重要依据。

为了实现以上目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种基于虚拟井的断溶体储层刻画方法，该断溶体储层刻画方法包括以下步骤：

S100、选取基准井，在断裂两侧的非储层位置建立虚拟井；

S200、将所述基准井的声波曲线赋予所述虚拟井；利用所述虚拟井进行地震反演，以此建立反映地层格架的波阻抗模型；

S300、以目标区内所有已钻井参与进行地震反演；

S400、求取S300得到的地震反演结果和所述反映地层格架的波阻抗模型的残差，刻画所述断溶体储层。

本发明通过在断裂破碎带两侧致密地层位置建立若干虚拟井，借助未钻遇储层井信息建立反映地层骨架的波阻抗模型，最后将实际井参与的地震反演结果和地层格架阻抗求残差，突出断裂破碎带低阻抗信息，可有效刻画断裂破碎带储层，对指导深层断控储层的勘探开发具有重要意义。

以下针对每一步骤进行详细说明：

S100、选取基准井，在断裂两侧的非储层位置建立虚拟井。

目标区内至少包括钻遇缝洞储层和未钻遇储层两种类型已钻井，根据本发明的断溶体储层刻画方法，优选的，以未钻遇所述断溶体储层的已钻井为基准井。若存在多口未钻遇储层的已钻井，选取反映地层格架的典型井，例如电测曲线特征清楚、完整，井震关系优良的。

根据本发明的断溶体储层刻画方法，优选的，根据断裂规模与长度，在断裂两侧非储层位置每10km各建立5～8口虚拟井。

根据本发明的断溶体储层刻画方法，优选的，所述虚拟井均匀分布在断裂破碎带两侧，且垂直断裂破碎带距离大于200米，根据相干和不连续性属性所描述断裂及破碎带位置。

S200、将所述基准井的声波曲线赋予所述虚拟井；利用所述虚拟井进行地震反演，以此建立反映地层格架的波阻抗模型。