[发明专利]一种环保型爆破装置在审
申请号: | 202011076007.3 | 申请日: | 2020-10-10 |
公开(公告)号: | CN114308328A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 陈炎伟;李伟;李立明 | 申请(专利权)人: | 陕西中控微脉智能科技有限公司 |
主分类号: | B02C19/18 | 分类号: | B02C19/18;B02C23/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710000 陕西省西安市国家民用航天*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 环保 爆破 装置 | ||
1.一种环保型爆破装置,其特征在于,包括高压脉冲发生器(1)、同轴传输线(2)和高压电极(3),其中:
所述高压脉冲发生器(1)用于产生万伏级电脉冲;
所述同轴传输线(2)用于将万伏级电脉冲有效传递至高压电极(3);
所述高压电极(3)作为电脉冲的输出部件,密封设置在被破碎物(5)的预埋孔(501)中,所述预埋孔(501)中填充有爆破介质(502)。
2.根据权利要求1所述的环保型爆破装置,其特征在于,
所述高压脉冲发生器(1)包括TESLA脉冲调制器、MARX发生器、LTD感应叠加器、LC谐振高压产生器中的一种或几种组合;
所述高压脉冲发生器(1)中万伏级电脉冲的工作参数包括电压幅值、电流幅值、脉冲宽度和重复频率,其中:所述电压幅值的范围为10至50万伏特;所述电流幅值的范围为0.2-1万安培;所述脉冲宽度的范围为100至1000纳秒;所述重复频率的范围为0.1至0.5赫兹。
3.根据权利要求1所述的环保型爆破装置,其特征在于,所述同轴传输线(2)分为正极传输线(201)和负极传输线(202),其中:
所述正极传输线(201)的末端连接高压电极(3)的正电极(301),正电极(301)密封安装在预埋孔(501)中;
所述负极传输线(202)的末端接地、或连接高压电极(3)的负电极(302),负电极(302)密封安装在预埋孔(501)中。
4.根据权利要求3所述的环保型爆破装置,其特征在于,所述同轴传输线(2)为同轴二极管、带状线或多股高压同轴电缆。
5.根据权利要求1所述的环保型爆破装置,其特征在于,所述高压电极(3)为金属材料,高压电极(3)的形状包括球体、椭球体、圆柱体、平板、锥体、楔形体中的一种或多种组合,所述高压电极(3)为圆柱体结构时,高压电极(3)包括柱体(303)和设置在柱体(303)末端的尖端(304),所述柱体(303)的外侧均匀布置有多组环带(305)。
6.根据权利要求1所述的环保型爆破装置,其特征在于,还包括控制器(4),所述控制器(4)用于控制高压脉冲发生器(1)工作、并用于检测高压电极(3)的工作状态。
7.根据权利要求1所述的环保型爆破装置,其特征在于,所述爆破介质(502)为水、变压器油、酯类中一种或几种组合。
8.根据权利要求1所述的环保型爆破装置,其特征在于,还包括用于安装高压电极(3)的密封件(6),所述密封件(6)包括盖体(601)、设置在盖体(601)顶部的接线座(602)和设置在盖体(601)底部的电极座(603),其中:
所述盖体(601)的底部安装有密封圈(604),所述盖体(601)通过多个固定螺丝(605)连接被破碎物(5);
所述接线座(602)用于连接同轴传输线(2);
所述电极座(603)用于安装高压电极(3)。
9.根据权利要求1至8任意一项所述的环保型爆破装置,其特征在于,操作方法包括:
A1)在被破碎物(5)的中心位置开设预埋孔(501);
A2)将高压电极(3)的正电极(301)设置在预埋孔(501)中,并在预埋孔(501)中填充爆破介质(502),通过密封件(6)将高压电极(3)和预埋孔(501)以及爆破介质(502)密封;
A3)使用控制器驱动高压脉冲发生器放电,对被破碎物(5)进行整体爆破,放电过程中电压幅值的范围为10至50万伏特,电流幅值的范围为0.2-1万安培,脉冲宽度的范围为100至1000纳秒,重复频率的范围为0.1至0.5赫兹。
10.根据权利要求1至8任意一项所述的环保型爆破装置,其特征在于,操作方法包括:
B1)在被破碎物(5)的待爆破区域边缘开设多个预埋孔(501);
B2)将高压电极(3)的正电极(301)设置在一侧的预埋孔(501)中,再将高压电极(3)的负电极(302)设置在另一侧的预埋孔(501)中,并在预埋孔(501)中填充爆破介质(502),通过密封件(6)将高压电极(3)和预埋孔(501)以及爆破介质(502)密封;
B3)使用控制器驱动高压脉冲发生器放电,对被破碎物(5)进行局部爆破,放电过程中电压幅值的范围为10至50万伏特,电流幅值的范围为0.2-1万安培,脉冲宽度的范围为100至1000纳秒,重复频率的范围为0.1至0.5赫兹。
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