[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片

权利要求书

1.一种保护膜形成用膜，其为用于在芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜，

利用所述保护膜的波长1400～1500nm下的吸光度的最小值X_min与所述保护膜的60℃下的比热S₆₀，并通过下述式计算出的Z₆₀为0.6以下：

Z₆₀＝X_min/S₆₀。

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用膜，其中，所述保护膜形成用膜为热固性或能量射线固化性。

3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，所述保护膜形成用膜含有2种以上的可吸收可见光及红外线中的任意一者或两者的光吸收剂。

4.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，所述保护膜形成用膜含有碳材料。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成用膜，其中，所述保护膜对波长400～750nm的光的透射率的最小值T_m为15％以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的保护膜形成用膜，其中，所述保护膜对波长1400～1500nm的光的反射率的最大值U_m为20％以下。

7.一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜，

所述保护膜形成用膜为权利要求1～6中任一项所述的保护膜形成用膜。

8.根据权利要求7所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片具备基材与设置在所述基材的一个面上的粘着剂层，

所述粘着剂层配置于所述基材与所述保护膜形成用膜之间。