[发明专利]基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法

权利要求书

1.基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，其特征在于该方法按以下步骤实现：

一、将硅衬底浸入HF溶液中去除氧化层，利用等离子体清洗硅衬底，得到清洗后的硅衬底；

二、通过电子束工艺在清洗后的硅衬底表面沉积铝牺牲层；

三、将聚酰亚胺MEAs基材多次旋涂在铝牺牲层上，依次进行软烘烤和固化，得到带有厚度为8～10微米聚酰亚胺底层的衬底；

四、采用光刻工艺对聚酰亚胺层进行图案化定型，在腔压为440～460mTorr、功率620～680W、CF₄流量为6～10sccm、O₂流量为70～80sccm的条件下，对聚酰亚胺层进行电感耦合等离子体刻蚀处理，得到图案化的衬底；

五、通过光刻工艺形成多通道的微电极网络和互连板，微电极材质为铬/铂金属层，然后经过剥离工艺去除多余的金属层，得到带有微电极网络的晶片；

六、再次将非光敏聚酰亚胺MEAs基材旋涂在聚酰亚胺底层上，依次进行软烘烤和固化，得到厚度为8～10微米的顶层聚乙酰胺，使用光致抗蚀剂掩蔽晶片，以限定互连线和焊盘，然后利用电子束蒸发仪形成铬/铂金属层，剥离互连线和焊盘的掩膜；

七、采用铝蚀刻剂湿法蚀刻工艺去除铝牺牲层，得到基于皮层脑电图的多通道MEAs。

2.根据权利要求1所述的基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，其特征在于步骤一中HF溶液的质量浓度为10％。

3.根据权利要求1所述的基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，其特征在于步骤一中等离子体清洗的工艺过程如下：

在等离子体清洗机中，控制O₂/H₂的流量比为9000：450sccm，以650W的射频功率、80℃的衬底温度、2Torr的腔室压力清洗30秒。

4.根据权利要求1所述的基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，其特征在于步骤一中硅衬底表面粗糙度的均方根值为8.5～8.8nm。

5.根据权利要求1所述的基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，其特征在于步骤二中铝牺牲层的厚度为3微米。

6.根据权利要求1所述的基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，其特征在于步骤三和步骤六中所述的软烘烤是在100℃下烘烤3分钟，步骤三和步骤六中所述的固化是在300℃下处理3分钟。

7.根据权利要求1所述的基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，其特征在于步骤三和步骤六中聚酰亚胺层的厚度均为9微米。

8.根据权利要求1所述的基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，其特征在于步骤五中微电极网络的排布方式为：多行微电极平行间隔排布，每行微电极中的微电极单元间隔设置，每个微电极单元的引线从每行微电极的中部引出。

9.根据权利要求8所述的基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，其特征在于微电极网络包含50～70个微电极单元，10～12行微电极平行间隔排布。

10.根据权利要求1所述的基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，其特征在于步骤五中铬/铂金属层中铬和铂的沉积速率均为3埃/秒。