[发明专利]一种C/TiN包覆正硅酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统有效
| 申请号： | 202011043508.1 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112185592B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 向茂乔;朱庆山;郑婕;岳芬 | 申请（专利权）人： | 中科南京绿色制造产业创新研究院;中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | G21B1/11 | 分类号： | G21B1/11 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 211135 江苏省南京市麒麟科*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tin 包覆正 硅酸 增殖 及其 制备 方法 装置 系统 | ||
1.一种C/TiN包覆Li4SiO4氚增殖剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)使等效直径为0.1-1.2mm的球形或类球形Li4SiO4颗粒在保护气氛中处于流化状态；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，将钛源气体与氮源气体分别独立地通入所述Li4SiO4颗粒所处的保护气氛中，得到TiN包覆Li4SiO4颗粒；混合的温度为500-900℃，混合的时间≥1min；
(3)在步骤(1)持续进行的基础上，将碳源气体通入所述TiN包覆Li4SiO4颗粒所处的保护气氛中，混合的温度为500-900℃，混合的时间≥1min；
(4)气固分离后得到C/TiN包覆Li4SiO4氚增殖剂。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述保护气氛中的气体包括氩气、氦气或氖气中的任意一种或至少两种的组合。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述钛源气体为钛盐经高温气化后形成的气体。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述钛盐为二氯化钛。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述高温气化的载气为步骤(1)所述保护气氛中的气体。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述高温气化的温度为400-800℃。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述氮源气体为氮气。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述钛源气体的通入气速为50-200mL/min。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述氮源气体的通入气速为50-200mL/min。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述碳源气体包括甲烷、乙烷、乙烯、乙炔或丙烯中的任意一种或至少两种的组合。
11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述碳源气体的通入气速为50-200mL/min。
12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述气固分离的方法包括重力沉降、离心沉降或过滤中的任意一种或至少两种的组合。
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