[发明专利]一种保持时间违例修复方法、系统、设备及存储介质有效

专利信息
申请号: 202011036592.4 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN112232005B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 高永亮;邱进超 申请(专利权)人: 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
主分类号: G06F30/3312 分类号: G06F30/3312;G06F30/3315
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 代理人: 李修杰
地址: 250101 山东省济南市中国(山东)自由贸*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 保持 时间 违例 修复 方法 系统 设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种保持时间违例修复方法,其特征在于,包括:

通过时序分析找出电路中所有存在保持时间违例的路径,获取所述路径的终止点的建立时间裕量;

计算路径的建立时间裕量和保持时间违例的比值,根据预定义规则将路径分为第一类路径和第二类路径;

所述预定义规则需要通过对芯片制造厂商工艺库进行分析获得,选取合适的建立时间裕量和保持时间违例比值的区间分界点,满足既能够保证不影响整个芯片的工作频率,又能够把芯片的功耗控制到最低;

使用第一类工艺标准单元迭代修复第一类路径的保持时间违例;

使用第二类工艺标准单元迭代修复第二类路径的保持时间违例;

所述第一类工艺的电压阈值高于第二类工艺;

所述第一类工艺为高阈值电压工艺或标准阈值电压工艺;

所述使用第一类工艺标准单元迭代修复第一类路径的保持时间违例,包括:

31)使用第一类工艺标准单元修复第一类路径的保持时间违例;

32)计算剩余未修复路径的建立时间裕量和保持时间违例的比值,根据预定义规则重新划分路径分类;

33)判断剩余未修复路径中是否存在第一类路径,若存在,重复步骤31);

所述第二类工艺为低阈值电压工艺或超低阈值电压工艺;

所述使用第二类工艺标准单元迭代修复第二类路径的保持时间违例,包括:

41)使用第二类工艺标准单元修复第二类路径的保持时间违例;

42)判断是否存在未修复路径,若存在,重复步骤41)。

2.根据权利要求1所述的保持时间违例修复方法,其特征在于,所述计算路径的建立时间裕量和保持时间违例的比值,根据预定义规则将路径分为第一类路径和第二类路径,包括:

当路径的建立时间裕量和保持时间违例的比值的绝对值大于1.5且小于3,且建立时间裕量大于15ps时,该路径为第二类路径,否则,该路径为第一类路径。

3.根据权利要求1所述的保持时间违例修复方法,其特征在于,所述时序分析采用Prime Time工具。

4.一种保持时间违例修复系统,其特征在于,包括:

违例路径获取模块,用于通过时序分析找出电路中所有存在保持时间违例的路径,获取所述路径的终止点的建立时间裕量;

路径分类模块,用于计算路径的建立时间裕量和保持时间违例的比值,根据预定义规则将路径分为第一类路径和第二类路径;

所述预定义规则需要通过对芯片制造厂商工艺库进行分析获得,选取合适的建立时间裕量和保持时间违例比值的区间分界点,满足既能够保证不影响整个芯片的工作频率,又能够把芯片的功耗控制到最低;

第一类路径修复模块,用于使用第一类工艺标准单元迭代修复第一类路径的保持时间违例;

所述第一类工艺为高阈值电压工艺或标准阈值电压工艺;

所述使用第一类工艺标准单元迭代修复第一类路径的保持时间违例,包括:

31)使用第一类工艺标准单元修复第一类路径的保持时间违例;

32)计算剩余未修复路径的建立时间裕量和保持时间违例的比值,根据预定义规则重新划分路径分类;

33)判断剩余未修复路径中是否存在第一类路径,若存在,重复步骤31);

第二类路径修复模块,用于使用第二类工艺标准单元迭代修复第二类路径的保持时间违例;

所述第二类工艺为低阈值电压工艺或超低阈值电压工艺;

所述使用第二类工艺标准单元迭代修复第二类路径的保持时间违例,包括:

41)使用第二类工艺标准单元修复第二类路径的保持时间违例;

42)判断是否存在未修复路径,若存在,重复步骤41);

所述第一类工艺的电压阈值高于第二类工艺。

5.一种保持时间违例修复的设备,其特征在于,包括:

存储器,用于存储计算机程序;

处理器,用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至3任一项所述保持时间违例修复的方法的步骤。

6.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至3任一项所述保持时间违例修复的方法的步骤。

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