[发明专利]一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法在审
申请号: | 202011024271.2 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112309660A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 李波;夏俊生;臧子昂;李文才;符宏大 | 申请(专利权)人: | 华东光电集成器件研究所 |
主分类号: | H01C17/065 | 分类号: | H01C17/065;H05K1/16 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人: | 陈俊 |
地址: | 233030 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 混合 路基 侧面 电阻 制备 方法 | ||
本发明公开一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法,包括以下步骤:版图布局,侧面电阻包括三种,第一种侧面电阻仅位于基板侧面,第二种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下任一表面,第三种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下两个表面;光绘底片,制版,基板切割,基板清洗,通过丝网印刷工艺在基板侧面印刷电阻;在印刷好的电阻表面丝网印刷玻璃釉;激光调阻;基板背面环氧绝缘处理,得到所述厚膜混合电路基板侧面电阻;通过该方法能够在基板侧面进行电阻的制作,能有效利用混合集成电路的陶瓷基板空间,提高空间利用率,提高集成密度,给版图设计带来灵活性。
技术领域
本发明涉及厚膜混合工艺技术领域,具体是一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法。
背景技术
随着厚膜混合电路小型化的要求,内部元件集成度要求也越来越高,常规厚膜混合电路各类元件集成方式,包括陶瓷基板正面集成、背面集成,目前基板的侧面利用率较低,如以常规长宽为30mm×15mm基板为例,在不同的厚度下利用率情况见表1:
表1 正、背面集成表面利用率
厚度(mm) 2)]]> 2)]]> 集成利用率 0.50 900 945 95.2% 0.76 900 968.4 92.9% 1.00 900 901.9 90.9%
厚膜混合电路常用成膜元件是厚膜电阻,如果利用陶瓷基板侧连电阻,将大大提高集成空间利用率,为厚膜混合电路版图设计带来灵活性,但是现阶段还没有任何相关的技术手段。
发明内容
本发明的目的在于提供一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法,通过该方法能够在基板侧面进行电阻的制作,能有效利用混合集成电路的陶瓷基板空间,提高空间利用率,提高集成密度,给版图设计带来灵活性
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法,包括以下步骤:
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