[发明专利]一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011024271.2 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN112309660A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 李波;夏俊生;臧子昂;李文才;符宏大 申请(专利权)人: 华东光电集成器件研究所
主分类号: H01C17/065 分类号: H01C17/065;H05K1/16
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 代理人: 陈俊
地址: 233030 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 混合 路基 侧面 电阻 制备 方法
【说明书】:

发明公开一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法,包括以下步骤:版图布局,侧面电阻包括三种,第一种侧面电阻仅位于基板侧面,第二种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下任一表面,第三种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下两个表面;光绘底片,制版,基板切割,基板清洗,通过丝网印刷工艺在基板侧面印刷电阻;在印刷好的电阻表面丝网印刷玻璃釉;激光调阻;基板背面环氧绝缘处理,得到所述厚膜混合电路基板侧面电阻;通过该方法能够在基板侧面进行电阻的制作,能有效利用混合集成电路的陶瓷基板空间,提高空间利用率,提高集成密度,给版图设计带来灵活性。

技术领域

本发明涉及厚膜混合工艺技术领域,具体是一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法。

背景技术

随着厚膜混合电路小型化的要求,内部元件集成度要求也越来越高,常规厚膜混合电路各类元件集成方式,包括陶瓷基板正面集成、背面集成,目前基板的侧面利用率较低,如以常规长宽为30mm×15mm基板为例,在不同的厚度下利用率情况见表1:

表1 正、背面集成表面利用率

厚度(mm)2)]]>2)]]>集成利用率
0.5090094595.2%
0.76900968.492.9%
1.00900901.990.9%

厚膜混合电路常用成膜元件是厚膜电阻,如果利用陶瓷基板侧连电阻,将大大提高集成空间利用率,为厚膜混合电路版图设计带来灵活性,但是现阶段还没有任何相关的技术手段。

发明内容

本发明的目的在于提供一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法,通过该方法能够在基板侧面进行电阻的制作,能有效利用混合集成电路的陶瓷基板空间,提高空间利用率,提高集成密度,给版图设计带来灵活性

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法,包括以下步骤:

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