[发明专利]一种嵌入式系统的片内外数据掉电防拔备份方法及系统有效
申请号: | 202011023167.1 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112181725B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 钱京;刘春桥;梅海鹏 | 申请(专利权)人: | 江苏恒宝智能系统技术有限公司 |
主分类号: | G06F11/14 | 分类号: | G06F11/14;G06F12/02 |
代理公司: | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人: | 陈变花 |
地址: | 210019 江苏省南京市建邺区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 嵌入式 系统 内外 数据 掉电 备份 方法 | ||
1.一种嵌入式系统的片内外数据掉电防拔备份方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
备份初始化;
备份初始化后,判断是否启动了防拔备份机制,若是,则判断当前写操作的保护类型是片内FLASH的防拔写还是片外FLASH的防拔写,否则继续判断是否启动了防拔备份机制;
若当前写操作的保护类型为片内FLASH的防拔写,则从片内FLASH区读出写操作数据;若当前写操作的保护类型为片外FLASH的防拔写,则从片外FLASH读出写操作数据;
对读出的写操作数据进行处理后写入到防拔备份区的空闲数据区内,并设置成功写入标志位;
其中,防拔备份区位于片内FLASH区;
其中,判断当前写操作的保护类型是片内FLASH的防拔写还是片外FLASH的防拔写的方法包括如下步骤:
获取当前写操作对应的逻辑地址和物理地址;
根据获取的当前写操作的逻辑地址和物理地址,得到当前写操作的逻辑地址和物理地址之间的关系;
根据当前写操作的逻辑地址和物理地址之间的关系、预先建立的片内写操作的物理地址与逻辑地址之间的第一映射关系和片外写操作的物理地址与逻辑地址之间的第二映射关系,判断当前写操作的保护类型属于片内FLASH的防拔写还是片外FLASH的防拔写。
2.根据权利要求1所述的嵌入式系统的片内外数据掉电防拔备份方法,其特征在于,备份初始化包括:将防拔备份区划分为第一标志页面区、第二标志页面区、地址页面区和备份数据区;
其中,所述第一标志页面区和所述第二标志页面区用于记录当前备份的启动标志和备份数据区中写入备份数据的次数;
所述地址页面区用于记录防拔备份过程所有写操作对应的逻辑地址;
所述备份数据区用于循环备份写操作对应的数据。
3.根据权利要求1所述的嵌入式系统的片内外数据掉电防拔备份方法,其特征在于,备份初始化还包括:建立片内写操作的物理地址与逻辑地址之间的第一映射关系和片外写操作的物理地址与逻辑地址之间的第二映射关系。
4.根据权利要求1所述的嵌入式系统的片内外数据掉电防拔备份方法,其特征在于,对读出的写操作数据进行处理后写入到防拔备份区的空闲数据区内的方法包括如下步骤:
将读出的写操作数据写入缓存区;
在缓存区中将需要修改的数据进行修改;
所有需要修改的数据修改完成后,将修改完成后的数据和无需修改的数据一同写入到的防拔备份区的空闲数据区内。
5.根据权利要求1或4所述的嵌入式系统的片内外数据掉电防拔备份方法,其特征在于,将写操作的数据写入到防拔备份区后,将该写操作对应的逻辑地址缓存至第一缓存区中,并将第一缓存区中的实际逻辑地址写入防拔备份区的地址页面区。
6.根据权利要求1所述的嵌入式系统的片内外数据掉电防拔备份方法,其特征在于,在需要恢复备份数据时,把备份数据从防拔备份区回写到片内FLASH区或片外FLASH区对应的逻辑地址处,将缓存区中与读出的备份数据相关的数据清除。
7.根据权利要求1所述的嵌入式系统的片内外数据掉电防拔备份方法,其特征在于,备份初始化还包括:在缓存区设置备份启动标志,通过判断备份启动标志的有效性来判断是否启动了防拔备份机制。
8.根据权利要求1所述的嵌入式系统的片内外数据掉电防拔备份方法,其特征在于,预先设定片内需要管理的物理地址的大小和逻辑地址的范围、以及片外需要管理的物理地址的大小和逻辑地址的范围。
9.一种嵌入式系统的片内外数据掉电防拔备份系统,其特征在于,包括:
初始化模块,用于备份初始化;
判断模块,用于在备份初始化后,判断是否启动了防拔备份机制,若是,则执行判断当前写操作的保护类型是片内FLASH的防拔写还是片外FLASH的防拔写,否则继续判断是否启动了防拔备份机制;
读取模块,用于当所述判断模块的判断结果为片内FLASH的防拔写,则从片内FLASH区读出写操作数据;若当所述判断模块的判断结果为片外FLASH的防拔写,则从片外FLASH读出写操作数据;
数据备份写入模块,用于对读出的写操作数据进行处理后写入到防拔备份区的空闲数据区内,并设置成功写入标志位;
其中,防拔备份区位于片内FLASH区;
判断当前写操作的保护类型是片内FLASH的防拔写还是片外FLASH的防拔写的方法包括如下步骤:
获取当前写操作对应的逻辑地址和物理地址;
根据获取的当前写操作的逻辑地址和物理地址,得到当前写操作的逻辑地址和物理地址之间的关系;
根据当前写操作的逻辑地址和物理地址之间的关系、预先建立的片内写操作的物理地址与逻辑地址之间的第一映射关系和片外写操作的物理地址与逻辑地址之间的第二映射关系,判断当前写操作的保护类型属于片内FLASH的防拔写还是片外FLASH的防拔写。
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