[发明专利]线性稳压器在审

专利信息
申请号: 202011021348.0 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN112099560A 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 邵博闻 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 罗雅文
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种线性稳压器,其特征在于,包括差分放大电路、电压输出电路、输出辅助电路、反馈电路;

所述差分放大电路包括对称连接的第一放大支路和第二放大支路,每个放大支路包括有源负载和共源共栅放大器,所述有源负载电路连接电源电压;

所述第二放大支路中的有源负载与共源共栅放大器的连接点与所述电压输出电路中的驱动管的控制端连接,所述电压输出电路还包括电容;所述电压输出电路用于提供输出电压;

所述反馈电路与所述电压输出电路的输出端连接,所述反馈电路用于将输出电压反馈至所述差分放大电路;

所述输出辅助电路包括检测管和辅助驱动管,所述检测管的控制端与所述电压输出电路中驱动管的控制端连接,检测管用于检测负载电流的变化;所述辅助驱动管与所述电源电压、所述检测管、所述驱动管的控制端分别连接,辅助驱动管用于在负载电流超出预定范围时开启,并提供辅助电流。

2.根据权利要求1所述的线性稳压器,其特征在于,所述电压输出电路中的驱动管为第一NMOS管,所述第二放大支路中有源负载与共源共栅放大器的连接点与所述第一NMOS管的栅极连接;

所述第一NMOS管的漏极与所述电源电压连接,所述第一NMOS管的源极为所述电压输出电路的输出端;

所述第一NMOS管的源极与所述反馈电路连接;

所述电压输出电路中的电容与所述第一NMOS管的栅极连接。

3.根据权利要求2所述的线性稳压器,其特征在于,所述输出辅助电路中的检测管为第二NMOS管,所述输出辅助电路中的辅助驱动管为第一PMOS管;

所述第一PMOS管的源极与所述电源电压连接,所述第一PMOS管的栅极通过第一电阻与所述电源电压连接,所述第一PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极连接,所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的源极连接;

所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接,所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接。

4.根据权利要求3所述的线性稳压器,其特征在于,所述第一NMOS管的宽长比为所述第二NMOS管的宽长比的N倍,N为预定值。

5.根据权利要求2所述的线性稳压器,其特征在于,反馈电路包括第二电阻和第三电阻,所述第二电阻与所述第一NMOS管的源极连接;

所述第二电阻与所述第三电阻连接,所述第三电阻接地;

所述第二电阻和所述第三电阻的公共端与所述第二放大支路中共源共栅放大器的共源级放大器连接。

6.根据权利要求1或2所述的线性稳压器,其特征在于,所述差分放大电路还包括尾电流源,所述尾电流源与每个放大支路中共源共栅放大器的共源级放大器分别连接。

7.根据权利要求6所述的线性稳压器,其特征在于,所述尾电流源为第三NMOS管;

所述第三NMOS管的栅极连接第一偏置电压,所述第三NMOS管的漏极连接共源共栅放大器的共源级放大器,所述第三NMOS管的源极接地。

8.根据权利要求1或2所述的线性稳压器,其特征在于,所述第一放大支路中的有源负载包括第二PMOS管、第三PMOS管,所述第二放大支路中有源负载包括第四PMOS管、第五PMOS管;

第二PMOS管的源极连接电源电压,第二PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极连接,第四PMOS管的源极连接电源电压,第四PMOS管的漏极与第五PMOS管的源极连接,第二PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极连接第二偏置电压,第三PMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极连接第三偏置电压;

在所述第一放大支路中,所述第三PMOS管的漏极连接共源共栅放大器中共栅级放大器;在所述第二放大支路中,所述第五PMOS管的漏极连接共源共栅放大器中共栅级放大器。

9.根据权利要求1或2所述的线性稳压器,其特征在于,所述共源共栅放大器由PMOS管和NMOS管构成。

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