[发明专利]电容器、包括其的半导体器件和电子设备、以及制造电容器的方法

权利要求书

1.电容器，包括：

底部电极；

在所述底部电极上方的顶部电极；

在所述底部电极和所述顶部电极之间的介电膜；以及

在所述顶部电极和所述介电膜之间的掺杂Al₂O₃膜，

所述掺杂Al₂O₃膜包括第一掺杂剂，并且

包括与所述第一掺杂剂相同的元素的氧化物具有比Al₂O₃的介电常数高的介电常数。

2.如权利要求1所述的电容器，其中所述第一掺杂剂的氧化物具有比Al₂O₃的介电常数高的介电常数。

3.如权利要求1或2所述的电容器，其中所述第一掺杂剂包括如下之一：Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Hf、Zr、Nb、Ta、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、和Lu。

4.如权利要求1或2所述的电容器，其中所述掺杂Al₂O₃膜以大于0原子％且小于50原子％的量包括所述第一掺杂剂。

5.如权利要求1所述的电容器，其中

所述掺杂Al₂O₃膜进一步包括与所述第一掺杂剂不同的第二掺杂剂，并且

包括与所述第二掺杂剂相同的元素的氧化物具有比Al₂O₃的介电常数高的介电常数。

6.如权利要求5所述的电容器，其中所述第二掺杂剂包括如下之一：Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Hf、Zr、Nb、Ta、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、和Lu。

7.如权利要求2所述的电容器，其中

所述掺杂Al₂O₃膜进一步包括与所述第一掺杂剂不同的第二掺杂剂，

所述第二掺杂剂的氧化物具有比Al₂O₃的介电常数高的介电常数，

所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂为在Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Hf、Zr、Nb、Ta、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、或Lu之中的不同元素，并且

所述介电膜包括所述第一掺杂剂的氧化物、所述第二掺杂剂的氧化物、或者所述第一掺杂剂的氧化物和所述第二掺杂剂的氧化物两者。

8.如权利要求7所述的电容器，其中

所述介电膜包括第一区域和第二区域，

所述第一区域包括所述第一掺杂剂的氧化物，

所述第二区域包括所述第二掺杂剂的氧化物，并且

所述介电膜的所述第二区域在所述介电膜的所述第一区域和所述掺杂Al₂O₃膜之间。

9.如权利要求5或7所述的电容器，其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂以共计大于0原子％且小于50原子％的量存在于所述掺杂Al₂O₃膜中。

10.如权利要求1或2所述的电容器，其中所述底部电极直接接触所述介电膜。

11.如权利要求1或2所述的电容器，进一步包括：

在所述底部电极和所述介电膜之间的界面膜，

其中所述界面膜包括氧化物，所述氧化物包括包含在所述底部电极中的金属元素。

12.如权利要求11所述的电容器，其中

所述底部电极包括由MM'N表示的金属氮化物，和

所述界面膜包括由MM'ON表示的金属氧氮化物，

M是金属元素，

M'是与M不同的元素，

N是氮，和

O是氧。