[发明专利]量子点修饰方法、发光器件、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 202011010972.0 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN112117378B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 苗湘 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K50/115 | 分类号: | H10K50/115;H10K71/00;H10K59/122 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 修饰 方法 发光 器件 制作方法 显示装置 | ||
1.一种量子点发光器件,其特征在于,包括:
衬底;
第一电极层,位于所述衬底的一面上,所述第一电极层包括多个像素电极,所述像素电极具有亲水性;
像素界定层,位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧,所述像素界定层设置有多个开口以形成多个像素坑,所述开口与所述像素电极一一对应且每个开口暴露至少部分所述像素电极,所述像素界定层具有疏水性;
发光层,包括多个发光层单元,所述发光层单元位于所述像素坑内,所述发光层的材料为表面修饰有浸润性可逆变聚合物的量子点,所述浸润性可逆变聚合物在温度低于最低共溶温度的条件下具有亲水性,在温度高于最低共溶温度的条件下具有疏水性。
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述浸润性可逆变聚合物包括聚N-异丙基丙烯酰胺。
3.根据权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述量子点为半导体量子点或钙钛矿量子点。
4.根据权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述像素电极的材料包括氧化铟锡,所述像素界定层的材料包括含氟的感光聚酰亚胺。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的量子点发光器件,其特征在于,
所述发光层单元包括第一单元、第二单元和第三单元,所述第一单元的量子点发的光为红色,所述第二单元的量子点发的光为绿色,所述第三单元量子点发的光为绿色。
6.一种量子点显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5中 任一项所述的量子点发光器件。
7.一种量子点修饰方法,其特征在于,包括:
准备表面带有氨基的量子点并配置成溶液;
在所述溶液中加入引发剂,控制反应条件使所述引发剂与所述量子点上的氨基连接;
将聚合单体加入所述溶液中,控制反应条件使所述聚合单体聚合而生成浸润性可逆变聚合物且所述浸润性可逆变聚合物与所述引发剂连接,所述浸润性可逆变聚合物在温度低于最低共溶温度的条件下具有亲水性,在温度高于最低共溶温度的条件下具有疏水性;
对所述量子点体系进行提纯以获取表面修饰有所述浸润性可逆变聚合物的量子点。
8.根据权利要求7所述的量子点修饰方法,其特征在于,在所述量子点上连接引发剂,包括:
在碱性环境,向量子点溶液中加入2-溴代异丁酰溴或偶氮二异丁腈作为引发剂,在0℃-10℃的温度条件下聚合30min~60min。
9.根据权利要求7所述的量子点修饰方法,其特征在于,包括:
选择N-异丙基丙烯酰胺作为聚合单体,将接有引发剂的量子点加入体系中,引发剂和单体比例为1:100~1:200,在氮气环境下引发聚合,聚合时间30min~60min。
10.一种量子点器件的制作方法,其特征在于,包括:
提供一待打印的基板,所述基板包括衬底、位于所述衬底上的第一电极层和位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的像素界定层,所述第一电极层包括多个具有亲水性的像素电极,所述像素界定层设置有多个开口以形成多个像素坑,所述开口与所述像素电极一一对应且每个开口暴露至少部分所述像素电极,所述像素界定层具有疏水性;
利用喷墨打印法向所述像素坑内喷涂量子点溶液,所述量子点表面修饰有浸润性可逆变聚合物;
在第一温度下控制所述量子点溶液的溶剂蒸发,所述第一温度低于所述表面修饰有浸润性可逆变聚合物的量子点的最低共溶温度,所述可逆变聚合物在第一温度下具有亲水性;
在第二温度下控制所述量子点溶液的溶剂蒸发,所述第二温度高于所述表面修饰有浸润性可逆变聚合物的量子点的最低共溶温度,所述可逆变聚合物在第二温度下具有疏水性。
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