[发明专利]一种基于多路复合外腔合束的宽调谐半导体激光器腔型在审

专利信息
申请号: 202011010626.2 申请日: 2020-09-23
公开(公告)号: CN112290374A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 黄彦;张宇露;高志强;周建发;钟亮;刘蓓;徐暠;韩宁宁;史青;彭泳卿 申请(专利权)人: 北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司
主分类号: H01S5/0225 分类号: H01S5/0225;H01S5/00;H01S5/14;H01S5/40
代理公司: 北京巨弘知识产权代理事务所(普通合伙) 11673 代理人: 赵洋
地址: 100076 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 复合 外腔合束 调谐 半导体激光器
【权利要求书】:

1.一种基于多路复合外腔合束的宽调谐半导体激光器腔型,其特征在于:包括发光准直部件(1),用于将所述发光准直部件(1)输出的准直后的光束衍射并分离的光栅(2)和将所述光栅(2)输出的衍射光束反射或透射的耦合输出镜(3);

所述光栅(2)和所述耦合输出镜(3)至少有一个是可旋转的,通过旋转实现光波长的调谐;

所述发光准直部件(1)包括半导体激光芯片(11)和用于将所述半导体激光芯片(11)的光束进行准直的腔内准直器(12)。

2.根据权利要求1所述的一种基于多路复合外腔合束的宽调谐半导体激光器腔型,其特征在于:

所述耦合输出镜(3)包括耦合输出镜本体(31),还包括与所述耦合输出镜本体(31)连接的用于旋转所述耦合输出镜本体(31)的耦合输出镜旋转台(32);

用于驱动所述输出镜旋转台(32)旋转的方式为手动或电动;所述电动包括直流电机驱动或、步进电机驱动、压电驱动或MEMS驱动;所述MEMS驱动包括静电驱动或电磁驱动。

3.根据权利要求1所述的一种基于多路复合外腔合束的宽调谐半导体激光器腔型,其特征在于:所述光栅(2)包括光栅本体(21),还包括与所述光栅(2)连接的用于旋转所述光栅本体(21)的旋转台(22);

用于驱动所述旋转台(22)转动的方式为手动或电动;所述电动包括直流电机驱动、步进电机驱动、压电驱动或MEMS驱动;所述MEMS驱动包括静电驱动或电磁驱动;

所述光栅本体(21)的衍射级次为±1级、±2级;所述光栅本体(21)工作方式为反射式或透射式;所述光栅本体(21)种类为刻线光栅、全息光栅、阶梯光栅或MEMS光栅;所述光栅本体(21)面型为平面或曲面;所述光栅本体(21)表面光学膜层为增透膜、增反膜。

4.根据权利要求1所述的一种基于多路复合外腔合束的宽调谐半导体激光器腔型,其特征在于:所述发光准直部件(1)设置有多个。

5.根据权利要求4所述的一种基于多路复合外腔合束的宽调谐半导体激光器腔型,其特征在于:不同所述发光准直部件(1)中的所述半导体激光芯片(11)加电方式为同时加电或分时切换加电;不同所述发光准直部件(1)中的所述腔内准直器(12)使用相同或不同类型的腔内准直器。

6.根据权利要求1所述的一种基于多路复合外腔合束的宽调谐半导体激光器腔型,其特征在于:还包括设置在所述腔内准直器(12)和所述光栅(2)之间用于准直后的光束反射至所述光栅(2)的平面反射镜。

7.根据权利要求1所述的一种基于多路复合外腔合束的宽调谐半导体激光器腔型,其特征在于:所述半导体激光芯片(11)为传统半导体激光芯片、量子级联激光芯片、带间级联激光芯片或LED芯片,所述半导体激光芯片(11)输出光束波长为紫外、可见光、近红外、中红外、远红外或太赫兹波段。

8.根据权利要求1所述的一种基于多路复合外腔合束的宽调谐半导体激光器腔型,其特征在于:所述半导体激光芯片(11)为宽谱芯片或法布里-珀罗芯片;所述半导体激光芯片(11)两个端面镀增透膜、增反膜。

9.根据权利要求1所述的一种基于多路复合外腔合束的宽调谐半导体激光器腔型,其特征在于:所述腔内准直器(12)的工作方式为透射式或反射式;所述腔内准直器(12)的面型为球面、抛物面或复杂非球面;所述腔内准直器(12)的组成为单片式或多片组合式;所述腔内准直器(12)表面光学膜层为增透膜或增反膜;

所述耦合输出镜(3)基材为熔融石英、BK7、蓝宝石、硅、锗或硒化锌等;所述耦合输出镜(3)两个表面光学膜层为增透膜、增反膜或特定透过率膜。

10.根据权利要求1所述的一种基于多路复合外腔合束的宽调谐半导体激光器腔型,其特征在于:还包括设置在所述光栅(2)和所述耦合输出镜(3)之间用于输出光束的光学分光器件;所述宽调谐半导体激光器腔型激光输出形式为空间光输出或光纤耦合输出。

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