[发明专利]LPDDR测试方法、装置、可读存储介质及电子设备

说明书

本发明公开一种LPDDR测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，对待测试的LPDDR先进行基于第一预设读写单元的对半读写访问操作，再进行基于第二预设读写单元的对半读写访问操作，第一预设读写单元与第二预设读写单元不同，由于预设读写单元的对半读写访问是从预设读写单元的中间位置开始同时向两端进行读写，并且进行的是两次不同预设读写单元的对半读写访问，因此，能够构造出适合于发生临近模式敏感故障的读写环境，相较于现有的顺序读写测试方式，更容易命中临近模式敏感故障，不仅能够检测出单cell和多cell故障，而且也易于检测出临近模式敏感故障，提高了测试LPDDR时的故障覆盖率。

技术领域

本领域涉及存储器测试领域，特别是涉及一种LPDDR测试方法、装置、可读存储介质及电子设备。

背景技术

LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM，低功耗内存)的基本存储单元为cell，计算机及嵌入式系统通过在cell中写入高电平或低电平的方式进行数据存储和读写。但是由于制程工艺的影响使得存储单元cell在读写时有可能造成数据存储故障。

存储故障分为单cell和多cell故障。单cell故障主要包括固定故障(Stuck atFault，SF)和跳变故障(Transition Fault,TF)。对于这两种故障的检测一般通过对待测单元写入1后再写入0然后再读出0，相应的还需要写入0后再写入1然后再读出1来进行检测。多cell的典型故障有：桥连故障(Bridging Fault,BF)和耦合故障(Coupling Fault，CF)。针对这两个故障，传统的检测方式是对地址空间里的存储单元进行升序的写读，再进行降序的写读，检测是否有数据错误。

除了常规的单cell和多cell故障外，临近模式敏感故障(Neighborhood PatternSensitive Faults，NPSF)是一种较为隐蔽且难以直接激发的故障类型。其根本原因在于某个存在制程缺陷的cell受周围cell的高低电平状态影响，在周围cell处于某个特定高低电平组合的情况下，该故障cell内部记录的数据会被改变。现有的常规测试用例由于属于顺序测试，即地址由高到低或由低到高依次进行读写，所以难以命中该类故障。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种LPDDR测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，在对LDPPR进行测试时能够提高故障覆盖率。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种LPDDR测试方法，包括步骤：

从待测试的LPDDR的每一第一预设读写单元的中间位置开始同时向两端写入数据直至所述待测试的LPDDR的所有存储单元均写入数据，并进行与数据写入过程对应的数据读取，将读取的数据与其对应的写入数据进行比较，得到第一比较结果；

从所述待测试的LPDDR的每一第二预设读写单元的中间位置开始同时向两端写入数据直至所述待测试的LPDDR的所有存储单元均写入数据，并进行与数据写入过程对应的数据读取，将读取的数据与其对应的写入数据进行比较，得到第二比较结果；

所述第一预设读写单元和所述第二预设读写单元不同；

根据所述第一比较结果和所述第二比较结果得到所述待测试的LPDDR的测试结果。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种LPDDR测试装置，包括：

第一数据读写模块，用于从待测试的LPDDR的每一第一预设读写单元的中间位置开始同时向两端写入数据直至所述待测试的LPDDR的所有存储单元均写入数据，并进行与数据写入过程对应的数据读取，将读取的数据与其对应的写入数据进行比较，得到第一比较结果；