[发明专利]一种基于谐波控制的F类功率放大器在审
| 申请号： | 202010976413.9 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112290891A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰;王群亮;沈小虎;韩孙煜 | 申请（专利权）人： | 浙江金洲电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/217 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 谐波 控制 功率放大器 | ||
1.一种基于谐波控制F类功率放大器，其特征在于，所述基于谐波控制F类功率放大器包括一个晶体管，晶体管漏极和栅极分别连接一个偏置网络，输入匹配网络与晶体管栅极相连，晶体管漏极串联一个用于保持电路稳定的电容和谐波控制网络后与负载相连，且负载的两端并联一个谐振结构，所述谐振结构的谐振频率与晶体管的开关频率一致。
2.根据权利要求1所述的基于谐波控制F类功率放大器，其特征在于，负载两端并联的谐振器在三次谐波发生谐振，整个谐振结构对二次谐波形成短路、对三次谐波形成高阻抗，进而将漏源电压的二次谐波分量滤除，三次谐波被保持在漏极端。
3.根据权利要求1所述的基于谐波控制F类功率放大器，其特征在于，所述晶体管为GaN功率管。
4.根据权利要求1所述的基于谐波控制F类功率放大器，其特征在于，所述基于谐波控制F类功率放大器的静态工作点选定为漏极偏置电压VDS＝28V栅极偏置电压VGS＝-3.2V。
5.根据权利要求1所述的基于谐波控制F类功率放大器，其特征在于，所述谐波控制网络由长度分别为的串联传输线和长度为和的并联传输线构成。
6.根据权利要求1所述的基于谐波控制F类功率放大器，其特征在于，所述谐波控制网络中的L1、C1组成的谐振器在基频发生谐振。
7.根据权利要求1所述的基于谐波控制F类功率放大器，其特征在于，所述基于谐波控制F类功率放大器中，漏极电流在半个正弦波内导通，漏极电压只有三次谐波和基波组成，流过负载的输出电压为漏极电压的基波成分。
8.根据权利要求3所述的基于谐波控制F类功率放大器，其特征在于，所述GaN功率管采用SiC衬底，并且采用陶瓷封装。
9.一种基于谐波控制提升F类功放峰值效率的方法，其特征在于，所述方法在F类功放负载的两端并联一个谐振结构，所述谐振结构的谐振频率与F类功放中晶体管的开关频率一致。
10.一种无线发送终端，其特征在于，所述无线发送终端采用权利要求1-8任一项所述的基于谐波控制F类功率放大器对无线信号功率进行放大。
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