[发明专利]一种反激变换器输入电压副边检测电路有效

专利信息
申请号: 202010931460.1 申请日: 2020-09-07
公开(公告)号: CN112198358B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 罗康;权良玉;厉干年;李华铭;张余进 申请(专利权)人: 上海军陶科技股份有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;H02M3/335
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 陈旭红;吴落
地址: 201600 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 激变 输入 电压 边检 电路
【权利要求书】:

1.一种反激变换器输入电压副边检测电路,其特征在于,包括原边电路和副边电路;其中,

所述原边电路包括开关管和原边绕组;所述副边电路包括副边第一电路;其中,

所述副边第一电路,包括:

副边第一绕组,所述副边第一绕组的同名端分别连接第一二极管的阳极和第三二极管的阴极,所述副边第一绕组的异名端分别连接第二二极管的阴极和第四二极管的阳极;

由第一电阻、第二电阻和第一电容组成的滤波电路的两端分别连接所述第一二极管的阴极和第二二极管的阳极;其中,所述第一电阻的一端连接于所述第一二极管的阴极,第一电阻的另一端连接于第一电容的一端;所述第一电容的另一端连接于所述第二二极管的阳极;所述第二电阻和所述第一电容并联,其两端电压为所述原边电路输入电压的检测值;

第二电容的两端分别连接所述第三二极管的阳极和所述第四二极管的阴极;

所述开关管的开关周期小于所述第一电容与第二电阻的乘积,且所述第一电阻小于第二电阻。

2.如权利要求1所述的反激变换器输入电压副边检测电路,其特征在于,所述开关管为场效应管增强型N-MOS。

3.如权利要求1所述的反激变换器输入电压副边检测电路,其特征在于,所述副边电路还包括副边第二电路;

所述副边第二电路,包括:

副边第二绕组,以及串联的第五二极管和第三电容;所述副边第二绕组的同名端与异名端分别连接所述第五二极管的阳极和所述第三电容的一端。

4.如权利要求1所述的反激变换器输入电压副边检测电路,其特征在于,所述第一电容与所述第二二极管的连接端接地,所述第二电容与所述第三二极管的连接端接地。

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