[发明专利]基于中心对称F形谐振器的太赫兹超材料传感器

权利要求书

1.一种基于中心对称F形谐振器的太赫兹超材料传感器，其特征在于，包括有：一个或多个金属谐振器、具有一定数值的相对介电常数的介质基底和金属底板；

一个或多个所述金属谐振器位于所述介质基底的上端并与所述介质基底接触；

所述金属底板位于所述介质基底的下端并与所述介质基底接触；

所述金属谐振器包括两个呈中心对称的完全相同的金属结构，且每个金属结构与所述介质基底接触的区域为F形；其中，两个呈中心对称的F形金属结构之间还构成三个宽度一致的开口。

2.根据权利要求1所述的基于中心对称F形谐振器的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述介质基底包括由特氟龙材质形成的介质基底。

3.根据权利要求1所述的基于中心对称F形谐振器的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述金属底板包括由金材质形成的金属底板。

4.根据权利要求1所述的基于中心对称F形谐振器的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述金属结构包括由金材质形成的金属结构。

5.根据权利要求1或4所述的基于中心对称F形谐振器的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述金属结构包括由金属条带形成的金属结构，且所述金属条带的金属层由金材质形成。

6.根据权利要求5所述的基于中心对称F形谐振器的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述金属结构的宽度为2.5μm，长度为20μm，厚度为0.2μm；且所述金属结构的电导率为4.09×10^7S/m；

所述介质基底的厚度为5μm，且所述介质基底的相对介电常数为ε1+jε2＝2.1+j 0.01；

所述金属底板的厚度为1μm。