[发明专利]一种无本振滤波器结构的太赫兹混频器有效

专利信息
申请号: 202010912907.0 申请日: 2020-09-03
公开(公告)号: CN111987997B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 张勇;李宇;张博;延波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03D7/16 分类号: H03D7/16;H01P3/00
代理公司: 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 代理人: 王伟
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 滤波器 结构 赫兹 混频器
【权利要求书】:

1.一种无本振滤波器结构的太赫兹混频器,其特征在于,包括RF输入波导、LO输入波导、减高波导、混频电路基板和悬置微带探针段,所述混频电路基板的一端为IF微带输出端,所述混频电路基板的另一端为屏蔽腔体结构,所述RF输入波导和LO输入波导分别连接两个不同的减高波导,两个减高波导通过悬置微带探针段相互间隔地连接在混频电路基板上,两个悬置微带探针段之间设置有肖特基二极管,两个悬置微带探针段上分别设置有RF探针和LO探针,所述肖特基二极管分别与RF探针和LO探针之间连接有高阻抗线,所述混频电路基板上设置有混频电路,所述混频电路位于上述腔体结构内。

2.根据权利要求1所述的一种无本振滤波器结构的太赫兹混频器,其特征在于,所述太赫兹混频器通过肖特基二极管整体调节混频电路、提高变频效率,使能量尽量转换到中频,从而实现本振与射频的自然隔离。

3.根据权利要求2所述的一种无本振滤波器结构的太赫兹混频器,其特征在于,所述RF输入波导和LO输入波导分别在混频电路基板的两侧形成腔体结构,所述RF输入波导和LO输入波导的腔体结构对称,且形成闭合波导,所述混频电路的屏蔽腔体结构也为闭合波导。

4.根据权利要求3所述的一种无本振滤波器结构的太赫兹混频器,其特征在于,上述闭合波导结构的尺寸随工作频率变化而改变。

5.根据权利要求2所述的一种无本振滤波器结构的太赫兹混频器,其特征在于,所述混频电路是微波平面集成电路,采用悬置微带线实现。

6.根据权利要求4所述的一种无本振滤波器结构的太赫兹混频器,其特征在于,所述混频器包括混频二极管,且阻抗匹配。

7.根据权利要求5所述的一种无本振滤波器结构的太赫兹混频器,其特征在于,所述混频电路是基于整体电路法设计的悬置微带结构。

8.根据权利要求6所述的一种无本振滤波器结构的太赫兹混频器,其特征在于,所述混频二极管与RF探针、LO探针之间设置有一段高阻抗线,且该高阻抗线连接混频电路。

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