[发明专利]一种基于模式复合单脊波导的双极化漏波天线在审

专利信息
申请号: 202010891353.0 申请日: 2020-08-30
公开(公告)号: CN112103643A 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 林先其;刘铮;文章;苏一洪;康玉兴;杨鑫;王豹;曾姜杰 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q1/52 分类号: H01Q1/52;H01Q1/50;H01Q13/22;H01Q21/00
代理公司: 成都科奥专利事务所(普通合伙) 51101 代理人: 李志清
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 模式 复合 波导 极化 天线
【权利要求书】:

1.一种基于模式复合单脊波导的双极化漏波天线,包括模式复合单脊波导(1)、基于基片集成波导TE10模式的横缝周期漏波天线(2)、基于基片集成单脊波导TE20模式的纵缝周期漏波天线(3)、基片集成波导馈电网络(4)、基片集成单脊波导馈电网络(5)、微带线导体(6)和介质基板(7),其特征在于:所述模式复合单脊波导(1)由基片集成波导(11)和基片集成单脊波导(12)组成,基片集成波导(11)位于基片集成单脊波导(12)的脊部部位;所述基片集成波导(11)用于连接基片集成波导馈电网络(4)和基于基片集成波导TE10模式的横缝周期漏波天线(2);所述基片集成单脊波导(12)用于连接基片集成单脊波导馈电网络(5)和基于基片集成单脊波导TE20模式的纵缝周期漏波天线(3)。

2.根据权利要求1所述的基于模式复合单脊波导的双极化漏波天线,其特征在于:所述基于基片集成波导TE10模式的横缝周期漏波天线(2)由周期性横缝(21)刻蚀于基片集成波导(11)上表面组成;所述基于基片集成单脊波导TE20模式的纵缝周期漏波天线(3)由周期性纵缝(31)刻蚀于基片集成单脊波导(12)两侧的上表面组成;周期性横缝(21)和周期性纵缝(31)的尺寸根据工作频率进行调节。

3.根据权利要求1所述的基于模式复合单脊波导的双极化漏波天线,其特征在于:所述基片集成波导馈电网络(4)由微带线导体(6)、微带线地板(41)和介质基板(7)组成;所述基片集成单脊波导馈电网络(5)由微带线导体(6)、开缝隙槽地板(51)和介质基板(7)组成,金属通孔对(52)进行阻抗匹配。

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