[发明专利]一种高分子薄膜构象转变温度检测方法及系统

权利要求书

1.一种高分子薄膜构象转变温度检测方法，其特征在于，包括：

制备设定浓度的高分子材料溶液；

将所述高分子材料溶液制备成薄膜样品；

测量温控样品池的太赫兹时域光谱信号；

将样品放置在温控样品池中，在所述温控样品池的升温范围内按照第一预设间隔选取温度点测量所述薄膜样品的第一太赫兹时域光谱信号；

根据温控样品池的太赫兹时域光谱信号以及所述第一太赫兹时域光谱信号，确定所述薄膜样品的转折温度；

在所述转折温度的预设温度范围内按照第二预设间隔选取温度点测量所述薄膜样品的第二太赫兹时域光谱信号；

根据温控样品池的太赫兹时域光谱信号以及所述第二太赫兹时域光谱信号，确定所述薄膜样品的构象转变温度。

2.根据权利要求1所述的高分子薄膜构象转变温度检测方法，其特征在于，所述根据温控样品池的太赫兹时域光谱信号以及所述第一太赫兹时域光谱信号，确定所述薄膜样品的转折温度，具体包括：

对所述根据温控样品池的太赫兹时域光谱信号以及所述第一太赫兹时域光谱信号进行傅里叶变换，得到温控样品池的太赫兹频域相位信息和第一太赫兹频域相位信息；

根据所述温控样品池的太赫兹频域相位信息和第一太赫兹频域相位信息，计算所述薄膜样品的折射率；

根据所述薄膜样品的折射率计算薄膜样品的消光系数；

根据所述消光系数计算所述薄膜样品的吸收系数；

根据所述薄膜样品的吸收系数构建温度-吸收系数关系谱图；

根据所述温度-吸收系数关系谱图，确定所述薄膜样品的转折温度。

3.根据权利要求2所述的高分子薄膜构象转变温度检测方法，其特征在于，所述薄膜样品的折射率的计算公式如下：

其中，n(f)为薄膜样品的折射率，f代表太赫兹的频率，分别为I_s和I_ref进行傅里叶变换后获得的相位信息，I_ref和I_s分别代表温控样品池的太赫兹时域光谱信号和薄膜样品的太赫兹光谱信号，c代表光速，d代表太赫兹穿透薄膜样品的厚度。

4.根据权利要求3所述的高分子薄膜构象转变温度检测方法，其特征在于，所述薄膜样品的消光系数的计算公式如下：

其中，k(f)为消光系数，ρ(f)是I_s和I_ref傅里叶变换的振幅比。

5.根据权利要求4所述的高分子薄膜构象转变温度检测方法，其特征在于，所述薄膜样品的吸收系数的计算公式如下：

其中，α(f)为吸收系数。

6.根据权利要求1所述的高分子薄膜构象转变温度检测方法，其特征在于，所述温控样品池的升温范围为20℃～200℃，所述第一预设间隔为5℃，所述第二预设间隔为1℃。

7.一种高分子薄膜构象转变温度检测系统，其特征在于，包括：

第一制备模块，用于制备设定浓度的高分子材料溶液；

第二制备模块，用于将所述高分子材料溶液制备成薄膜样品；

第一测量模块，用于测量温控样品池的太赫兹时域光谱信号；

第二测量模块，用于将样品放置在温控样品池中，在所述温控样品池的升温范围内按照第一预设间隔选取温度点测量所述薄膜样品的第一太赫兹时域光谱信号；

转折温度确定模块，用于根据温控样品池的太赫兹时域光谱信号以及所述第一太赫兹时域光谱信号，确定所述薄膜样品的转折温度；

第三测量模块，用于在所述转折温度的预设温度范围内按照第二预设间隔选取温度点测量所述薄膜样品的第二太赫兹时域光谱信号；

转变温度确定模块，用于根据温控样品池的太赫兹时域光谱信号以及所述第二太赫兹时域光谱信号，确定所述薄膜样品的构象转变温度。