[发明专利]一种适用于TWTA和SSPA的模拟预失真器通用结构

权利要求书

1.一种适用于TWTA和SSPA的模拟预失真器通用结构，其特征在于，包括电桥反射式结构的第一部分、串联传输式结构的第二部分和功分和合路结构的第三部分，所述第一部分位于上支路，所述第二部分位于下支路，所述第三部分位于中间，所述第一部分包括3dB90°电桥、第一隔直电容、第二隔直电容、第一肖特基二极管、第二肖特基二极管、第一直流偏置电路和第二直流偏置电路，所述3dB 90°电桥将电路分为直通端口和耦合端口两路，所述3dB 90°电桥的直通端口通过第一隔直电容与第一肖特基二极管相连接，所述第一直流偏置电路连接至第一隔直电容与第一肖特基二极管之间，所述3dB 90°电桥的耦合端通过第二隔直电容与第二肖特基二极管相连接，所述第二直流偏置电路连接至第二隔直电容与第二肖特基二极管之间；所述第二部分包括第三隔直电容、第三肖特基二极管、第四隔直电容和第三直流偏置电路，所述第三肖特基二极管连接在第三隔直电容和第四隔直电容之间，所述第三直流偏置电路连接至第三隔直电容和第三肖特基二极管之间；所述第三部分包括输入信号功分器和输出信号功率合成器，所述输入信号功分器连接至上支路的3dB90°电桥和下支路的第三隔直电容，所述输出信号功率合成器连接至上支路的3dB90°电桥和下支路的第四隔直电容。

2.根据权利要求1所述的一种适用于TWTA和SSPA的模拟预失真器通用结构，其特征在于，输入射频信号通过输入信号功分器后，分为上下两个支路，上支路的射频信号经过3dB90°电桥在直通端口和耦合端口分成正交的两路信号，信号分别通过第一隔直电容和第二隔直电容分别加载到第一肖特基二极管和第二肖特基二极管上，利用肖特基二极管输入阻抗的非线性变化，改变相应支路的反射系数，从而产生两路反射信号，两路反射信号在3dB90°电桥的波导正交电桥隔离端口合成输出，下支路射频信号经过第三隔直电容到达第三肖特基二极管，再通过第四隔直电容输出非线性信号。

3.根据权利要求2所述的一种适用于TWTA和SSPA的模拟预失真器通用结构，其特征在于，所述第一肖特基二极管、第二肖特基二极管和第三肖特基二极管的阻抗与偏置状态和射频信号的输入功率大小相关，所述第一肖特基二极管、第二肖特基二极管和第三肖特基二极管的偏置状态分别通过第一直流偏置电路、第二直流偏置电路和第三直流偏置电路提供。

4.根据权利要求3所述的一种适用于TWTA和SSPA的模拟预失真器通用结构，其特征在于，所述第一直流偏置电路包括依次电连接的第一射频扼流电感、第一肖特基二极管偏置电阻和第一肖特基二极管直流偏置电压，所述第二直流偏置电路包括依次电连接的第二射频扼流电感、第二肖特基二极管偏置电阻、第二肖特基二极管直流偏置电压，所述第一射频扼流电感的一端电连接至第一隔直电容与第一肖特基二极管之间，所述第二射频扼流电感的一端电连接至第二隔直电容与第二肖特基二极管之间。

5.根据权利要求4所述的一种适用于TWTA和SSPA的模拟预失真器通用结构，其特征在于，所述第三直流偏置电路包括依次电连接的第三射频扼流电感、第三肖特基二极管偏置电阻和第三肖特基二极管直流偏置电压，所述第三射频扼流电感的一端电连接至第三隔直电容与第三肖特基二极管之间。

6.根据权利要求5所述的一种适用于TWTA和SSPA的模拟预失真器通用结构，其特征在于，所述第二部分还包括第四射频扼流电感，所述第四射频扼流电感电连接至第三肖特基二极管和第四隔直电容之间。

7.根据权利要求6所述的一种适用于TWTA和SSPA的模拟预失真器通用结构，其特征在于，所述模拟预失真器通用结构还包括接地电路，所述第一肖特基二极管直流偏置电压、第二肖特基二极管直流偏置电压、第三肖特基二极管直流偏置电压和第四射频扼流电感分别连接接地电路，所述第一肖特基二极管和第二肖特基二极管之间连接有接地电路。

8.根据权利要求3所述的一种适用于TWTA和SSPA的模拟预失真器通用结构，其特征在于，所述模拟预失真器通用结构还包括射频信号输入端口和射频信号输出端口，所述射频信号输入端口连接至输入信号等功分器，所述射频信号输出端口连接至输出信号功率合成器。