[发明专利]籽晶铺设方法、铸锭单晶硅的生产方法和铸锭单晶硅在审
| 申请号： | 202010872732.5 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112126972A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 何亮;罗鸿志;雷奇;毛伟;周成;徐云飞;李建敏;程小娟;邹贵付;甘胜泉;陈仙辉 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 籽晶 铺设 方法 铸锭 单晶硅 生产 | ||
1.一种籽晶铺设方法，其特征在于，包括：
提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，其中，所述籽晶层由多个第一籽晶和多个第二籽晶间隔拼接形成，任意相邻两个所述第一籽晶之间设有一个所述第二籽晶，任意相邻两个所述第二籽晶之间设有一个所述第一籽晶，所述第一籽晶和所述第二籽晶的生长面晶向相同，侧面晶向不同；所述第一籽晶和所述第二籽晶均为重掺单晶，所述重掺单晶的掺杂元素包括硼、镓、磷和锗中的至少一种。
2.如权利要求1所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述第一籽晶和所述第二籽晶的电阻率为0.3-0.5ohm-cm。
3.如权利要求1所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述第一籽晶和所述第二籽晶的侧面晶向夹角为5-90°。
4.如权利要求1所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述掺杂元素在所述重掺单晶中的原子数量浓度为1×1018-1×1019atoms/cm3。
5.如权利要求1所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述第一籽晶与所述第二籽晶的生长面晶向为100、011或111。
6.如权利要求1-5任一项所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述籽晶层的厚度为10-30mm。
7.一种铸锭单晶硅的生产方法，其特征在于，包括：
按如权利要求1-6任意一项所述的籽晶铺设方法在坩埚中形成籽晶层；
在所述籽晶层上方填装硅料，加热使所述坩埚内所述硅料熔化成硅熔体；待所述籽晶层未完全融化时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶；
待全部所述硅熔体结晶完后，经退火冷却得到铸锭单晶硅。
8.如权利要求7所述的生产方法，其特征在于，在所述籽晶层上方填装硅料过程中，还包括添加硼母合金，所述硼母合金的浓度范围为1×1016-1×1017atoms/cm3。
9.如权利要求7所述的生产方法，其特征在于，所述长晶过程中的温度为1410-1440℃。
10.一种由权利要求7-9所述铸锭单晶硅的生产方法生产的铸锭单晶硅。
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