[发明专利]偏光板、和偏光板的制造方法、束结构的制造方法

权利要求书

1.一种偏光板，其具备：

透光基板，透过工作谱带的光；

吸收层，形成于所述透光基板；和

束结构层，形成于所述吸收层上，且由包含半导体的柱状的束构成，

所述吸收层包含无机微粒，

所述束结构层的消光系数不为零，

所述吸收层包含Si、Ge、Ag、Ta、Fe、Al、W、Ti、Nb、Au、Cu中的1种以上，

所述束结构层是在将x、y、z正交坐标中的xy平面设为基板面时，在xy平面上从相差180°的2个方向交替地倾斜蒸镀无机微粒，从而形成的，

所述半导体为选自Ge、Te、ZnO、β-FeSi₂、MgSi₂、NiSi₂、BaSi₂、CrSi₂、COSi₂、TaSi中的任一种以上，

所述吸收层是通过以所述束结构层作为掩模实施蚀刻而微粒化的。

2.根据权利要求1所述的偏光板，其中，所述吸收层和所述束结构层中的1层以上是以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。

3.根据权利要求1所述的偏光板，其还具备反射层，所述反射层形成于所述束结构层上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。

4.根据权利要求3所述的偏光板，其中，所述吸收层和所述束结构层中的1层以上是以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。

5.根据权利要求3或4所述的偏光板，其还具备：

上部束结构层，配置于所述反射层上，由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；和

上部吸收层，配置于所述上部束结构层上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。

6.根据权利要求3或4所述的偏光板，其还具备：

上部电介质层，配置于所述反射层上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；

上部束结构层，形成于所述上部电介质层上，由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；和

上部吸收层，形成于所述上部束结构层上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。