[发明专利]一种光功率调节方法、装置、存储介质及ONU设备在审
申请号: | 202010813809.1 | 申请日: | 2020-08-13 |
公开(公告)号: | CN112054850A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 王嘉伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市普威技术有限公司 |
主分类号: | H04B10/564 | 分类号: | H04B10/564;H04B10/079 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 麦小婵;郝传鑫 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 调节 方法 装置 存储 介质 onu 设备 | ||
本发明公开了一种光功率调节方法,包括:检测第一光功率及第一电流;根据所述第一电流控制所述第一光功率进行对应的调节,以得到第二光功率;根据当前温度、当前消光比及所述第二光功率在预设的光功率与调制电流关系中查找对应的第一调制电流;控制所述第一调制电流保持不变,并调节偏置电流,直至当前光功率与所述第二光功率相等,若检测的当前电流值满足预设的设备安全运行条件,则发射光功率为所述第二光功率。本发明实施例还公开了一种光功率调节装置、存储介质及ONU设备,能在设备温度升高的情况下,保证ONU设备的安全运行,同时能够满足光功率和消光比的要求。
技术领域
本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种光功率调节方法、装置、存储介质及ONU设备。
背景技术
目前,光模块的光电二极管(PD)检测到半导体激光器(LD)发出的光,将光信号转换MPD电流并提供给光芯片,光模块的光芯片通过改变半导体激光器的偏置电流来控制维持背光电流(即MPD电流)的大小,从而维持光功率的恒定。
但是,在现有技术中,对于同一目标光功率,高温时需要的半导体激光器的电流要大于的常温,而电流过大可能会导致两个问题:一是电流较大时ONU设备的突发时间会上升(协议要求GPON ONU的上升时间小于12.8ns),二是电流太大会影响到TOSA的使用寿命,甚至破坏TOSA。因此,如何调节半导体激光器的电流,既能满足光功率和消光比的要求,又能不损坏ONU设备,是当前面对的主要问题。
发明内容
本发明实施例提供一种光功率调节方法、装置、存储介质及ONU设备,能在设备温度升高的情况下,保证ONU设备的安全运行,同时能够满足光功率和消光比的要求。
本发明一实施例提供一种光功率调节方法,包括:
控制光模块检测第一光功率及第一电流;
根据所述第一电流控制所述第一光功率进行对应的调节,以得到第二光功率;
根据当前温度、当前消光比及所述第二光功率在预设的光功率与调制电流关系中查找对应的第一调制电流;
控制所述第一调制电流保持不变,并调节偏置电流,直至当前光功率与所述第二光功率相等,控制所述第一调制电流保持不变,并调节偏置电流,直至当前光功率与所述第二光功率相等,若检测的当前电流值满足预设的设备安全运行条件,则发射光功率为所述第二光功率。
作为上述方案的改进,所述根据所述第一电流值控制所述第一光功率进行对应的调节,以得到第二光功率,具体包括:
判断所述第一电流值是否满足预设的设备安全运行条件;
响应于判断结果为不满足预设的设备安全运行条件,则对应的调节为第二光功率。
作为上述方案的改进,所述方法还包括:响应于判断结果为满足预设的设备安全运行条件,则所述发射光功率为所述第一光功率。
作为上述方案的改进,在所述响应于判断结果为不满足预设的设备安全运行条件,则对应的调节为第二光功率之后,还包括:
判断所述第二光功率是否大于预设的第一光功率阈值;其中,所述第一光功率阈值包括:光功率偏移量以及最低光功率;
响应于判断结果为大于预设的第一光功率阈值,则允许所述第一光功率调节为所述第二光功率;
响应于判断结果为小于预设的第一光功率阈值,则结束光功率调节。
作为上述方案的改进,所述预设的设备安全运行条件,具体为:
小于满足设备突发时间要求时的最大电流。
作为上述方案的改进,所述方法通过以下步骤获取预设的光功率与调制电流对应关系,具体包括:
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