[发明专利]隔离器有效

专利信息
申请号: 202010798584.7 申请日: 2020-08-11
公开(公告)号: CN113437461B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 藤庆彦;根贺亮平;大黑达也;镰仓孝信 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01P1/375 分类号: H01P1/375
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘英华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 隔离器
【权利要求书】:

1.一种隔离器,具备:

第一电极;

第一绝缘部,设置于所述第一电极之上;

第二电极,设置于所述第一绝缘部之上;

第二绝缘部,沿着与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向垂直的第一面而设置于所述第二电极的周围;以及

第一电介质部,连续地设置于所述第一绝缘部与所述第二电极之间、以及所述第二绝缘部与所述第二电极之间,

所述第一电介质部的相对介电常数比所述第一绝缘部的相对介电常数高,且比所述第二绝缘部的相对介电常数高。

2.根据权利要求1所述的隔离器,其中,

所述第二绝缘部具有:第一绝缘区域、以及设置于所述第一绝缘区域之上的第二绝缘区域,

所述第一绝缘区域的相对介电常数,与所述第一绝缘部的相对介电常数及所述第二绝缘区域的相对介电常数不同,

所述第一电介质部的下端,位于比所述第一绝缘部与所述第一绝缘区域的界面靠下方的位置。

3.一种隔离器,具备:

第一电极;

第一绝缘部,设置于所述第一电极之上;

第二电极,设置于所述第一绝缘部之上;

第二绝缘部,沿着与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向垂直的第一面而设置于所述第二电极的周围,与所述第二电极接触;以及

第一电介质部,在所述第一方向上设置于所述第一绝缘部与所述第二绝缘部之间,至少一部分沿着所述第一面而位于所述第二电极的周围,与所述第二电极接触,

所述第一电介质部与所述第二绝缘部的第一界面与所述第二电极的下端之间的所述第一方向上的距离,比所述第一界面与所述第二电极的上端之间的所述第一方向上的距离短,

所述第一电介质部的相对介电常数,比所述第一绝缘部的相对介电常数高,且比所述第二绝缘部的相对介电常数高。

4.根据权利要求3所述的隔离器,其中,

所述第一绝缘部与所述第一电介质部的第二界面,位于比所述第二电极的所述下端靠上方的位置。

5.根据权利要求3所述的隔离器,其中,

所述第一绝缘部与所述第一电介质部的第二界面,位于比所述第二电极的所述下端靠下方的位置,

所述第一界面位于比所述第二电极的所述下端靠上方的位置。

6.根据权利要求3所述的隔离器,其中,

所述第一绝缘部与所述第一电介质部的第二界面在所述第一方向上的位置,与所述第二电极的所述下端在所述第一方向上的位置相同。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的隔离器,其中,

所述第一电介质部包含从由包含硅和氮的第一材料、包含铝和氧的第二材料、包含钽和氧的第三材料、包含铪和氧的第四材料、包含锆和氧的第五材料、包含锶和钛和氧的第六材料、包含铋和铁和氧的第七材料、以及包含钡和钛和氧的第八材料构成的组中选择的至少1种。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的隔离器,其中,

所述第一电介质部包含硅及氮,

所述第一绝缘部包含硅及氧。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的隔离器,其中,

所述第一电介质部中的氮浓度,比所述第一绝缘部中的氮浓度高。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的隔离器,其中,

所述第二电极包含铜。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的隔离器,其中,

所述第二电极包括:

包含铜的第一金属层;以及

第二金属层,包含钽,设置于所述第一金属层与所述第一绝缘部之间、所述第一金属层与所述第一电介质部之间、以及所述第一金属层与所述第二绝缘部之间。

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