[发明专利]一种容性耦合装置及滤波器在审

专利信息
申请号: 202010739000.9 申请日: 2020-07-28
公开(公告)号: CN111900517A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 刘文;钟伟刚;朱晖 申请(专利权)人: 武汉凡谷陶瓷材料有限公司
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P7/10
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 黄行军;王亚萍
地址: 430200 湖北省武汉市江*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 耦合 装置 滤波器
【权利要求书】:

1.一种容性耦合装置,至少包括相互连接的第一介质谐振器和第二介质谐振器,每个介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体和位于本体表面的调谐孔,所述调谐孔为盲孔,所述本体表面覆盖有导电层,其特征在于:所述第一介质谐振器与第二介质谐振器连接位置的本体表面上设有第一隔断层,所述第一隔断层为设有开口的环形圈,所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间设有连接段,所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间通过所述第一隔断层和连接段实现负耦合。

2.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:还包括至少一个负耦合盲孔,所述负耦合盲孔位于设置有第一隔断层的本体表面上。

3.根据权利要求2所述的容性耦合装置,其特征在于:所述负耦合盲孔位于所述环形圈的环形内侧或外侧。

4.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:所述第一隔断层形状为设有开口的方形、圆形、椭圆形、腰圆形中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:所述第一隔断层由本体表面未设导电层的一圈介质层组成。

6.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:所述第一介质谐振器与第二介质谐振器连接位置两侧的本体表面上均设有第一隔断层。

7.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间非连接的位置形成第二隔断层。

8.根据权利要求7所述的容性耦合装置,其特征在于:所述第二隔断层为设置于第一介质谐振器与第二介质谐振器之间的通槽或通孔。

9.根据权利要求7所述的容性耦合装置,其特征在于:所述第二隔断层为设置于第一介质谐振器与第二介质谐振器之间衔接面上的屏蔽层。

10.一种滤波器,其特征在于:所述滤波器至少包含一个如权利要求1-9所述的任意一项容性耦合装置。

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