[发明专利]带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片、电容器及制备方法在审

专利信息
申请号: 202010728516.3 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN111755246A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 蒋小明;姚飞;马永香;韩阿敏 申请(专利权)人: 陕西华星电子开发有限公司
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/012
代理公司: 西安泛想力专利代理事务所(普通合伙) 61260 代理人: 石琳丹
地址: 712034 陕西省西安市西咸新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 带有 倒角 结构 陶瓷 介质 芯片 电容器 制备 方法
【权利要求书】:

1.带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片,包括陶瓷介质瓷体和设置于陶瓷介质瓷体正反面的一对电极,所述陶瓷介质瓷体的主体为圆柱形;其特征在于:所述陶瓷介质瓷体正反面对应于所述一对电极的覆盖区域形成对称的凹槽,所述电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层;所述凹槽的顶面高于陶瓷介质瓷体的外侧边缘,使陶瓷介质瓷体的外侧边缘形成倒角结构。

2.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片,其特征在于:所述凹槽的内侧面为斜面,该斜面与凹槽底面的夹角大于90度。

3.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片,其特征在于:所述陶瓷介质瓷体的外侧边缘高于所述凹槽底面。

4.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片,其特征在于:所述凹槽底面以及电极平面均为圆形。

5.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片,其特征在于:所述电极镀层为铜电极或者铜铟铬合金电极。

6.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片,其特征在于:所述电极镀层的厚度为0.8-1.0微米。

7.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片,其特征在于:所述凹槽底面以及电极平面的中部区域形成凸起,该凸起的侧面与凹槽底面以及电极平面相应的外围区域为圆弧过渡相接。

8.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片,其特征在于:所述凸起的直径d为所述碟形结构的陶瓷介质芯片外径D的1/4。

9.一种陶瓷电容器,包括陶瓷介质芯片、电极引线和绝缘包封层,其特征在于,所述陶瓷介质芯片为权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片。

10.权利要求1所述带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)瓷粉选择

根据芯片外径及厚度、电极掩膜直径,计算所需瓷粉的介电常数,选择适配的瓷粉;

2)成型

在旋转压机安装碟形模具,进行瓷粉压制,成型得到生坯;

3)摆片

将生坯装入摇板中,配合摇管以及镊子将生坯连同摇板一起装入承烧板中;

4)烧成

将装载完成的承烧板放入隧道炉中烧成;

5)烧成瓷体性能测试

按照烧成检验规程要求,测量包括直径、厚度、电容量、损耗以及击穿电压在内的各项电性能参数,并根据标准判定是否合格;若不合格,则视为废品;若合格,进行下一步;

6)溅射

将合格的烧成瓷体与电极掩膜配合安装,仅使凹槽底面露出,固定悬挂于溅射机内,首先底层溅射铜、铬及铟合金,然后表面溅射纯铜,膜厚0.8-1.0微米。

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