[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的底电极和顶电极；

位于所述底电极和顶电极之间的阻变层，所述阻变层具有可变电阻；

位于所述底电极和顶电极之间的抓氧层，所述抓氧层位于所述阻变层之上，所述抓氧层的上轮廓为具有特定曲率的曲线，所述顶电极覆盖所述抓氧层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述抓氧层中心的厚度大于所述抓氧层边缘的厚度。

3.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上依次沉积底电极组成材料、阻变层组成材料、抓氧层组成材料；

蚀刻所述抓氧层组成材料，使得抓氧层的上轮廓为具有特定曲率的曲线；

在所述抓氧层上方沉积顶电极组成材料；

图案化所述底电极组成材料、阻变层组成材料、抓氧层组成材料、顶电极组成材料，形成底电极、阻变层、抓氧层、顶电极。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺对所述抓氧层组成材料进行刻蚀，使得抓氧层的上轮廓为具有特定曲率的曲线。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述抓氧层中心的厚度大于所述抓氧层边缘的厚度。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的底电极和顶电极；

位于所述底电极和顶电极之间的阻变层，所述阻变层中具有轮廓呈特定曲率的损伤区，所述阻变层具有可变电阻。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述损伤区的中心的厚度大于所述损伤区的边缘的厚度。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上依次沉积底电极组成材料、阻变层组成材料、硬掩膜组成材料；

在所述硬掩膜组成材料的表面涂上一层光阻，曝光所述光阻，并蚀刻所述硬掩膜组成材料的上半部分，使得硬掩膜的上轮廓为具有特定曲率的曲线；

继续蚀刻所述硬掩膜组成材料，并在所述阻变层组成材料中留下损伤区，其中，所述损伤区的轮廓呈特定曲率；

通过蚀刻工艺去除所述硬掩膜组成材料，并在所述阻变层组成材料上沉积顶电极组成材料；

图案化所述底电极组成材料、阻变层组成材料、顶电极组成材料，形成底电极、阻变层、顶电极。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述损伤区的中心的厚度大于所述损伤区的边缘的厚度。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述继续蚀刻所述硬掩膜组成材料，并在所述阻变层组成材料中留下损伤区，包括：采用各向异性刻蚀工艺，继续蚀刻所述硬掩膜组成材料，并在所述阻变层组成材料中留下损伤区。