[发明专利]基于电桥的压强传感器,压强测量系统以及压强测量方法有效

专利信息
申请号: 202010720811.4 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN111829715B 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 王久钰 申请(专利权)人: 王久钰
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 224100 江苏省盐城市大丰区幸福西*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 电桥 压强 传感器 测量 系统 以及 测量方法
【权利要求书】:

1.压强测量系统,其特征在于:采用的压强传感器包括无盖的长方体容器,容器由绝缘材料制成,容器内设有一个弹性膜制成的气腔,气腔底部和容器底面固定连接,气腔向容器顶部拱起,气腔在容器底面居中设置,容器顶部设有由弹性材料制成的感压膜,球形导电颗粒填充于感压膜与气腔之间,且填充满,容器的两个相对内表面贴敷导电层,两个接线端分别电性连接这两个导电层;感压膜贴敷有弹性网,弹性网的位置居中设置,有两根以上的弹性绳连接弹性网和容器底面,且弹性绳相对于容器底面的中心对称设置;所述系统包括惠斯通电桥,所述惠斯通电桥为:R1和R2串联作为一个支路,R3和R4串联作为另一个支路,这两个支路并联,还包括检流计, R1、R2为能够获悉其阻值数值的可变电阻构成,R3、R4的两个接线端就是所述压强传感器的两个接线端。

2.一种基于权利要求1所述的压强测量系统的压强测量方法,其特征在于,第一步,让R3的感压膜和第一流体接触,让R4的感压膜和第二流体接触,第二步,第一流体产生的压强导致R3的感压膜形变,继而导致R3的气腔发生形变,于是R3的阻值发生变化;第二流体产生的压强导致R4的感压膜形变,继而导致R4的气腔发生形变,于是R4的阻值发生变化;第三步,通过检流计指针的偏转方向以及偏转角度,获悉第一流体和第二流体的压强关系。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王久钰,未经王久钰许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010720811.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top