[发明专利]存储寿命预警方法及装置在审
申请号: | 202010715959.9 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN113971099A | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 本條嵩騎;纪亮 | 申请(专利权)人: | 深圳星火半导体科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/00 | 分类号: | G06F11/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 姚姝娅 |
地址: | 518051 广东省深圳市南山区西丽街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 寿命 预警 方法 装置 | ||
1.一种存储寿命预警方法,其特征在于,包括:
获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数;
获取三层存储单元的编程/擦除循环次数;
判断所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数是否达到单层标称阈值;
若是,则进行寿命预警;
若否,则判断所述三层存储单元的编程/擦除循环次数是否达到三层标称阈值;
若是,则进行寿命预警。
2.根据权利要求1所述的存储寿命预警方法,其特征在于,所述获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数,包括:
每次对所述单层次存储单元中的块进行擦除操作时,对该块的编程/擦除循环次数进行加一计数;
根据所述单层次存储单元中所有块的编程/擦除循环次数和所述单层次存储单元中块的数量得到所述单层次存储单元中所有块的编程/擦除循环次数的平均值以作为所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数。
3.根据权利要求1所述的存储寿命预警方法,其特征在于,所述获取三层存储单元的编程/擦除循环次数,包括:
每次对所述三层存储单元中的块进行擦除操作时,对该块的编程/擦除循环次数进行加一计数;
根据所述三层存储单元中所有块的编程/擦除循环次数和所述三层存储单元中块的数量得到所述三层存储单元中所有块的编程/擦除循环次数的平均值以作为所述三层存储单元的编程/擦除循环次数。
4.根据权利要求1所述的存储寿命预警方法,其特征在于,所述进行寿命预警包括点亮LED灯以进行寿命预警。
5.根据权利要求1所述的存储寿命预警方法,其特征在于,所述获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数之前,还包括:
对闪存存储设备进行初始化。
6.一种存储寿命预警装置,其特征在于,包括:
单层获取模块,用于获取单层次存储单元的编程/擦除循环次数;
三层获取模块,用于获取三层存储单元的编程/擦除循环次数;
单层判断模块,用于判断所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数是否达到第一标称阈值;
报警模块,用于在所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数达到所述单层标称阈值时,进行寿命预警;
三层判断模块,用于在所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数未达到所述三层标称阈值时,判断所述三层存储单元的编程/擦除循环次数是否达到三层标称阈值;所述报警模块还用于在所述三层存储单元的编程/擦除循环次数达到所述三层标称阈值时,进行寿命预警。
7.根据权利要求6所述的存储寿命预警装置,其特征在于,所述单层获取模块包括:
单层计数模块,用于每次对所述单层次存储单元中的块进行擦除操作时,对该块的编程/擦除循环次数进行加一计数;
单层计算模块,用于根据所述单层次存储单元中所有块的编程/擦除循环次数和所述单层次存储单元中块的数量得到所述单层次存储单元中所有块的编程/擦除循环次数的平均值以作为所述单层次存储单元的编程/擦除循环次数。
8.根据权利要求6所述的存储寿命预警装置,其特征在于,所述三层获取模块包括:
三层计数模块,用于每次对所述三层存储单元中的块进行擦除操作时,对该块的编程/擦除循环次数进行加一计数;
三层计算模块,用于根据所述三层存储单元中所有块的编程/擦除循环次数和所述三层存储单元中块的数量得到所述三层存储单元中所有块的编程/擦除循环次数的平均值以作为所述三层存储单元的编程/擦除循环次数。
9.根据权利要求6所述的存储寿命预警装置,其特征在于,还包括LED,所述报警模块进行寿命预警时向所述LED输出控制信号以点亮所述LED。
10.根据权利要求6所述的存储寿命预警装置,其特征在于,还包括初始化模块,用于对所述存储寿命预警装置进行初始化。
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