[发明专利]多层陶瓷电子组件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010708682.7 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112289586B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金东镇;崔畅学;具本锡;张昌洙;郑文成;张殷镕;金昞建 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/008 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王春芝;薛丞丞 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 电子 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层陶瓷电子组件，包括：
陶瓷主体，包括介电层和内电极；以及
外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上并且电连接到所述内电极，
其中，所述内电极中的每个包括镍-钴合金，并且基于100at％的镍，钴的含量为0.01at％至10at％。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，基于100at％的镍，钴的含量为0.1at％至1.0at％。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述内电极中的每个的厚度为1.0μm或更小。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层中的每个的厚度为1.0μm或更小。
5.一种制造多层陶瓷电子组件的方法，所述方法包括：
制备陶瓷生片；
使用用于内电极的导电膏在所述陶瓷生片上形成内电极图案，所述导电膏包含镍和氧化钴，其中，基于100at％的镍，氧化钴的量为0.01at％至10at％；
层叠形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片，以形成陶瓷层叠体；以及
烧结所述陶瓷层叠体以形成包括介电层和包含镍-钴合金的内电极的陶瓷主体。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，基于100at％的镍，包括在用于内电极的所述导电膏中的氧化钴的含量为0.1at％至1.0at％。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，基于100at％的镍，包括在包含镍-钴合金的所述内电极中的钴的含量为0.01at％至10at％。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，基于100at％的镍，包括在包含镍-钴合金的所述内电极中的钴的含量为0.1at％至1.0at％。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，烧结后的所述内电极的厚度为1.0μm或更小。
10.根据权利要求5所述的方法，其中，烧结后的所述介电层的厚度为1.0μm或更小。
11.根据权利要求5所述的方法，其中，在还原气氛中执行烧结。
12.根据权利要求5所述的方法，其中，所有的氧化钴被还原成钴并形成镍-钴合金。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述钴不渗透到所述介电层中。
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