[发明专利]整流电路

权利要求书

1.一种整流器，其特征在于，其包括：

MOSFET晶体管；

具有预定增益的差分放大器；以及

模拟缓冲器，其耦合到所述差分放大器的输出；

其中所述差分放大器被配置成基于输入信号电压与输出信号电压之间的差生成放大信号，并且其中所述模拟缓冲器被配置成基于所述放大信号输出用于切换所述MOSFET晶体管的栅极信号，所述MOSFET晶体管的切换将对应于所述输入信号电压的AC信号转换为对应于所述输出信号电压的整流DC信号。

2.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述输入信号电压与所述输出信号电压之间的所述差基于所述MOSFET晶体管两端的电压降。

3.根据权利要求2所述的整流器，其特征在于，所述差分放大器包括：

基于第一偏置电流和所述输入信号电压的第一输入；以及

基于第二偏置电流和所述输出信号电压的第二输入，

其中所述第二偏置电流不同于所述第一偏置电流。

4.根据权利要求3所述的整流器，其特征在于，所述差分放大器的所述第一输入和所述第二输入将基于对应于所述输入信号电压的所述AC信号的振荡而变化。

5.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述模拟缓冲器被配置成基于所述AC信号的输入信号电压而被启用和停用。

6.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，进一步包括：

第一二极管，其耦合到所述差分放大器的第一输入；以及

第二二极管，其耦合到所述差分放大器的第二输入，

其中所述第一二极管和所述第二二极管阻断从包括所述MOSFET晶体管的信号路径到所述差分放大器的反向电流。

7.一种整流器，其特征在于，其包括：

第一级，其被配置成将AC信号转换为第一整流信号；以及

第二级，其被配置成将所述AC信号转换为第二整流信号，

其中所述第一级和所述第二级中的每一个包括：

(a)MOSFET晶体管，

(b)具有预定增益的差分放大器，以及

(c)模拟缓冲器，其耦合到所述差分放大器的输出；

其中所述差分放大器被配置成基于输入信号电压与输出信号电压之间的差生成放大信号，并且其中所述模拟缓冲器被配置成基于所述放大信号输出用于切换所述MOSFET晶体管的栅极信号，所述MOSFET晶体管的切换将对应于所述输入信号电压的所述AC信号转换为所述第一整流信号和所述第二整流信号中对应的一个。

8.根据权利要求7所述的整流器，其特征在于，所述第一整流信号相对于所述第二整流信号移位以生成DC信号，所述第一整流信号对应于所述AC信号的第一部分，且所述第二整流信号对应于与所述AC信号的所述第一部分不同的所述AC信号的第二部分。

9.根据权利要求8所述的整流器，其特征在于，进一步包括：

电容器，其耦合到通常连接到所述第一级和所述第二级的节点。

10.根据权利要求7所述的整流器，其特征在于，进一步包括：

偏置电路，其被配置成生成用于所述第一级和所述第二级的偏置。