[发明专利]一种高分散性氧化锡锑高分子薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010660801.6 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111960690A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 毛威;唐盛;戴帅帅;何静;沈薇;何万娇;唐良秀 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/32 | 分类号： | C03C17/32;C01G30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 212008 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分散性 氧化 高分子 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种高分散性氧化锡锑高分子薄膜，其特征在于，包括聚乙烯醇高分子薄膜和分散在薄膜中的氧化锡锑纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的高分散性氧化锡锑高分子薄膜，其特征在于，在单位面积为5×5cm2的薄膜上分散有5～150mg氧化锡锑纳米颗粒。
3.一种权利要求1所述的高分散性氧化锡锑高分子薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)合成氧化锡锑粉末，并分散在水中，得得到氧化锡锑分散液；
(2)取聚乙烯醇粉末加入水中，加热至完全溶解，得到聚乙烯醇溶液；
(3)将氧化锡锑分散液加入到聚乙烯醇溶液中，混合均匀后涂覆在衬底上，即得到氧化锡锑高分子薄膜。
4.根据权利要求3所述的高分散性氧化锡锑高分子薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中合成氧化锡锑粉末包括以下步骤：
(11)将锡粒和三氧化二锑粉末混合，加入硫酸，在油浴中进行加热搅拌；
(12)反应结束后将其置于冰水浴中，加入双氧水和水，进行水热反应；
(13)反应结束后，进行固体分离、烘干、研磨，得到氧化锡锑粉末。
5.根据权利要求4所述的高分散性氧化锡锑高分子薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤11中锡粒和三氧化二锑的质量比为1：0.2～0.5，锡粒质量和硫酸体积比为1g：5～10mL。
6.根据权利要求4所述的高分散性氧化锡锑高分子薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤12中锡粒质量和双氧水体积比为1g：20～50mL，锡粒质量和水体积比为1g：13～35mL，水热反应温度为150～200℃。
7.根据权利要求3所述的高分散性氧化锡锑高分子薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中制备氧化锡锑分散液时加入体积分数为1-10％的三乙胺，氧化锡锑分散液中氧化锡锑浓度为10g/L～300g/L。
8.根据权利要求3所述的高分散性氧化锡锑高分子薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中加热温度为70-97℃，制得的聚乙烯醇溶液的浓度为40-60g/L。
9.根据权利要求3所述的高分散性氧化锡锑高分子薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3中氧化锡锑分散液和聚乙烯醇溶液的体积比为2：1～4。
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