[发明专利]EMI屏蔽优化涂层及制备方法在审

专利信息
申请号: 202010645972.1 申请日: 2020-07-07
公开(公告)号: CN111793435A 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 周元康;邹涛;唐海军;邢敕天 申请(专利权)人: 苏州康丽达精密电子有限公司
主分类号: C09D187/00 分类号: C09D187/00;C09D5/24;C09D5/08;C09D7/61
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215111 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: emi 屏蔽 优化 涂层 制备 方法
【说明书】:

发明公开了EMI屏蔽优化涂层及制备方法,其中,EMI屏蔽优化涂层,包括涂层本体,所述涂层本体包括框架基层和石墨烯薄层,所述框架基层上附着有若干填料颗粒,所述框架基层为碳化ZIF‑8型金属有机框架,所述填料颗粒为纳米四氧化三铁颗粒,本发明作为一种EMI屏蔽优化涂料,可以方便的涂布于各种待屏蔽物件之上,起到附加的EMI屏蔽效果。其应用方式多样,应用局限性小,对基底材料不造成任何伤害反而可以起到保护效果,增加其耐磨性,耐腐性等特性。由于添加了四氧化三铁磁损耗材料,对应EMI低频段屏蔽效果得到提升。

技术领域

本发明涉及EMI屏蔽技术领域,具体为EMI屏蔽优化涂层及制备方法。

背景技术

电磁干扰(Electromagnetic Interference 简称EMI),直译是电磁干扰,是指电磁波与电子元件作用后而产生的干扰现象,有传导干扰和辐射干扰两种。传导干扰是指通过导电介质把一个电网络上的信号耦合(干扰)到另一个电网络。辐射干扰是指干扰源通过空间把其信号耦合(干扰)到另一个电网络,在高速PCB及系统设计中,高频信号线、集成电路的引脚、各类接插件等都可能成为具有天线特性的辐射干扰源,能发射电磁波并影响其他系统或本系统内其他子系统的正常工作。随着信息技术的飞速发展,大量的电子通讯设备在交通、通讯、家用电器以及国防领域获得了广泛的应用。随着电子信息技术的发展,电磁波通信,探测,干扰等技术被普遍应用。这一方面方便了我们的生活,但在另一方面它也造成了严重的电磁波污染。面对近年来电子仪器的迅猛发展,航空航天,医疗保健等行业对高效微波屏蔽材料提出了更高的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供EMI屏蔽优化涂层及制备方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

EMI屏蔽优化涂层,包括涂层本体,所述涂层本体包括框架基层和石墨烯薄层,所述框架基层上附着有若干填料颗粒,所述框架基层为碳化ZIF-8型金属有机框架,所述填料颗粒为纳米四氧化三铁颗粒。

优选的,所述涂层本体按重量份数计包括如下组分:30-50份的人工石墨、20-40份的纳米四氧化三铁粉、30-50份的碳化ZIF-8型金属有机框架、5-10份的分散剂、5-10份的粘合剂、15-17份的助剂。

优选的,所述助剂按重量份数计包括如下组分:1-3份的粘性掺杂剂、1-5份的聚氨酯流平剂、5-10份的对三氟甲氧基苯异氰酸酯。

优选的,所述分散剂为硬脂酸聚乙二醇酯、月桂酰基谷氨酸中的任一种,所述粘性掺杂剂为石英粉、氧化铝粉、钛白粉中的任一种或几种的混合物,所述粘性掺杂剂的粒径为650-700目,所述粘合剂为水性聚氨酯,所述石墨烯薄层为大尺度少层石墨烯、人工石墨、还原氧化石墨烯中的任一种。

EMI屏蔽优化涂层的制备方法,包括如下步骤:

S1、制备ZIF-8型金属有机框架,并进行碳化处理;

S2、采用水热法在特氟龙衬里的反应釜中,在高质量薄层石墨烯和碳化ZIF-8金属有机框架材料上原位生长四氧化三铁纳米颗粒;

S3、洗涤干燥后,加入分散剂,超声分散;

S4、加入其余的助剂均匀搅拌,涂布在目标材料表面,得到EMI屏蔽优化涂层。

优选的,所述ZIF-8型金属有机框架材料形状为笼状结构,粒径120-150mm,比表面积1500-2000BET,孔径10-12埃。

优选的,所述步骤S2中的具体处理步骤为:将碳化ZIF-8金属有机框架,高质量薄层石墨烯,和一定比例的六水合氯化铁,乙二醇,醋酸钠加入特氟龙衬里的反应釜中,200℃条件下处理8h,洗涤干燥得到成品粉体。

优选的,所述步骤S1中的碳化处理具体步骤为:

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