[发明专利]绿色顿感纳米阵列起爆药的制备方法在审
申请号: | 202010614687.3 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN113862754A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 张文超;王嘉鑫;郑子龙;俞春培;陈亚杰;陈俊宏;宋长坤;叶家海 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C25D11/34 | 分类号: | C25D11/34;C25D9/08;C06B41/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 赵毅 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绿色 纳米 阵列 起爆 制备 方法 | ||
1.绿色顿感纳米阵列起爆药的制备方法,其特征在于,采用连续不间断的电化学氧化还原方法将CuNT纳米阵列薄膜原位生长在铜片表面。
2.根据权利要求1所述的绿色顿感纳米阵列起爆药的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,以水为溶剂,分别配置浓度为1~4mol/L的氢氧化钾溶液,0.1-2mol/L硫酸钠溶液,0.1-0.4mol/L五硝基四唑钠(NaNT)溶液;
步骤2,采用电化学氧化方法,将铜片在氢氧化钾溶液中反应得到氢氧化铜(Cu(OH)2)纳米线,反应过后需要用水清洗2秒除去样品表面残留物质;
步骤3,采用电化学还原方法,将步骤2得到的氢氧化铜纳米线在硫酸钠溶液中反应得到铜纳米线,反应过后需要用水清洗2秒除去样品表面残留物质;
步骤4,采用电化学氧化方法,将步骤3得到的铜纳米线在氢氧化钾溶液中反应得到CuNT纳米线,反应过后需要用水清洗2秒除去样品表面残留物质。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤1中,所述的氢氧化钾溶液的浓度为3mol/L。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤1中,所述的硫酸钠的浓度为1mol/L。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤1中,所述的五硝基四唑钠溶液的浓度为0.2mol/L。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤2,3,4中,所述的CuNT纳米阵列薄膜是通过连续3步电化学氧化-还原-氧化反应制备得到,电化学反应条件为:反应过程中对电极为铂片或者石墨片,氢氧化钾溶液中样品阳极氧化反应时间为8-20min,硫酸钠溶液中阴极还原反应时间为4-10min,五硝基四唑钠溶液中阳极还原反应时间为6-20min。
7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤2中,反应的电极距离为2cm。
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