[发明专利]金刚线切割单晶硅片制绒用添加剂及其应用

权利要求书

1.金刚线切割单晶硅片制绒用添加剂，其特征在于，其各组分的质量百分含量为：水溶性高分子物质0.2%～4%，烷基糖苷0.05%～0.15%，聚苯乙烯磺酸钠0.2%～2%，有机酸钠0.5%～2.5%，余量为水。

2.根据权利要求1所述的金刚线切割单晶硅片制绒用添加剂，其特征在于，所述水溶性高分子物质选自聚乳酸、瓜尔豆胶、改性淀粉、羧甲基化壳聚糖中的一种或者几种。

3.根据权利要求1所述的金刚线切割单晶硅片制绒用添加剂，其特征在于，所述有机酸钠选自甲酸钠、乙酸钠、苯甲酸钠、丙酮酸钠、水杨酸钠、硬脂酸钠中的一种或者几种。

4.根据权利要求1所述的金刚线切割单晶硅片制绒用添加剂，其特征在于，所述水为去离子水。

5.金刚线切割单晶硅片制绒用制绒液，其特征在于，其含有碱溶液和权利要求1至4中任一项所述的添加剂，添加剂与碱溶液的质量比为0.3～0.9:100，碱溶液为无机碱的水溶液。

6.根据权利要求5所述的金刚线切割单晶硅片制绒用添加剂，其特征在于，所述碱溶液为0.5～1.5wt%的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。

7.金刚线切割单晶硅片的制绒方法，其特征在于，利用权利要求5或6所述的制绒液对金刚线切割单晶硅片进行表面制绒。

8.根据权利要求7所述的金刚线切割单晶硅片的制绒方法，其特征在于，其具体步骤包括：

1）配制添加剂：将质量百分含量为0.2%～4%的水溶性高分子物质、0.05%～0.15%的烷基糖苷、0.2%～2%的聚苯乙烯磺酸钠、0.5%～2.5%的有机酸钠加入到余量的水中，混合均匀配成添加剂；

2）配制制绒液：将步骤1）制成的添加剂加到碱溶液中，混合均匀配成制绒液；添加剂与碱溶液的质量比为0.3～0.9:100；碱溶液为无机碱的水溶液；

3）硅片去损伤层；

4）制绒：将经过步骤3）处理后的单晶硅片浸入步骤2）配制的制绒液中进行表面制绒，制绒温度75～85℃，制绒时间为300～450s。

9.根据权利要求8所述的金刚线切割单晶硅片的制绒方法，其特征在于，步骤3）硅片去损伤层，具体包括：将金刚线切割的单晶硅片浸入1～3wt%氢氧化钠溶液中，于70～75℃浸泡50～150s；取出后再放入由双氧水、氢氧化钠、水按照体积比为1.5～3:0.5～1:100配制的混合溶液中，于60～65℃浸泡150～350s；取出后再用去离子水冲洗3次。

10.根据权利要求8所述的金刚线切割单晶硅片的制绒方法，其特征在于，还包括如下步骤：

5）清洗：将经过步骤4）处理的单晶硅片用去离子水冲洗3～5次，经后清洗、去离子水水洗、氢氟酸/盐酸混酸酸洗，再次去离子水冲洗后吹干。