[发明专利]超宽带复合铁氧体环形器制作方法

权利要求书

1.一种拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器制作方法，其步骤如下：

步骤1、基片精密抛光：将拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器所需的各个基片在使用前进行精密抛光，以控制基片的厚度公差在±5μm以内；

步骤2、制作微带电路：在精密抛光的各基片上通过磁控溅射/蒸发、或光刻、或腐蚀薄膜电路工艺制作出微带金属电路图形，微带金属电路图形为由粘附层金属和导电层金属组成的复合金属膜层，微带金属电路图形厚度为0.05～2μm；并在各基片背面通过常规的薄膜电路工艺制作背面接地金属层，背面接地金属层为粘附层金属和导电层金属组成的复合金属膜层，厚度为1～5μm；

步骤3、背面制作共晶焊料：在基片的背面接地金属层背面通过PVD溅射/蒸发或合金电镀方法制作共晶焊料，共晶焊料的厚度为4～6μm；

步骤4、从背面切割基片；

步骤5、紧密拼接共晶焊：在高磁导率金属片先镀覆上厚度不超过5μm的可焊金属膜，然后将切割后的各拼接部件在工装夹具下紧密拼接在一起，在共晶炉里共晶焊接在高磁导率金属片上；

步骤6、微带电镀原位连通：在微带金属电路图形上电镀金属层，厚度为4～6μm。

2.如权利要求1所述的一种拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器制作方法，其特征在于：所述微带金属电路图形为Ti/Cu、Cr/Cu、或TiW/Cu、或TiW/Au、或TiW/Cu/Au复合金属膜层。

3.如权利要求2所述的一种拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器制作方法，其特征在于：所述微带金属电路图形厚度为0.2～1μm。

4.如权利要求2所述的一种拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器制作方法，其特征在于：所述背面接地金属层为Ti/Cu、Cr/Cu、或TiW/Cu、或TiW/Au、或TiW/Cu/Au复合金属膜层。

5.如权利要求1所述的一种拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器制作方法，其特征在于：所述共晶焊料为根据所需的共晶温度选择的AuSn、SnSb、SnBi、SnAgCu中的一种。

6.如权利要求1所述的一种拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器制作方法，其特征在于：所述步骤6中，在微带金属层上电镀的金属层为电镀Cu/Au复合层或电镀全金层。

7.如权利要求6所述的一种拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器制作方法，其特征在于：所述Cu/Au复合层中Cu层厚度4μm，Au层厚度2μm。

8.如权利要求1所述的一种拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器制作方法，其特征在于：所述步骤5中高磁导率金属片在镀覆上可焊金属膜前先通过压平机进行压平处理。

9.如权利要求1所述的一种拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器制作方法，其特征在于：所述步骤5中高磁导率金属片镀覆的可焊金属膜为Ni/Au复合层。