[发明专利]LLC谐振电源转换器以及用于控制该LLC谐振电源转换器的方法和集成电路控制器

权利要求书

1.一种操作整流控制器的方法，所述方法包括：

感测同步整流SR场效应晶体管FET的漏极-源极电压；

设置对应于第一状态转变与第二状态转变之间的时间间隔的自适应延迟时间，其中所述第一状态转变和所述第二状态转变中的每一者对应于所述漏极-源极电压在大于自适应延迟电压与小于所述自适应延迟电压之间转变；以及

在所述漏极-源极电压已小于导通阈值电压持续长于所述自适应延迟时间之后将所述SR FET驱动到导电状态。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过在将所述SR FET驱动到所述导电状态的同时感测所述SR FET的所述漏极-源极电压大于反相参考电压来检测反相电流；

响应于检测到所述反相电流而使延迟使能信号生效；

响应于复位信号而使所述延迟使能信号失效；

在使所述延迟使能信号生效的情况下，延迟将所述SR FET驱动到所述导电状态持续所述自适应延迟时间；以及

在使所述延迟使能信号失效的情况下，响应于所述漏极-源极电压小于所述导通阈值电压，立即将所述SR FET驱动到所述导电状态。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一状态转变和所述第二状态转变中的每一者对应于所述漏极-源极电压从大于所述自适应延迟电压的值降低到小于所述自适应延迟电压的值。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述SR FET漏极-源极电压的所述第一状态转变之后，通过周期性时钟信号使第一计数器存储器的值递增；

响应于所述SR FET漏极-源极电压的所述第二状态转变，将所述第一计数器存储器的所述值作为存储值存储在存储存储器中；

在所述SR FET的所述漏极-源极电压低于所述导通阈值电压的情况下，通过所述周期性时钟信号使第二计数器存储器的值递增；以及

响应于所述第二计数器存储器的所述值大于所述存储存储器中的所述存储值，使导通延迟输出部生效。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述漏极-源极电压已小于所述导通阈值电压持续长于所述自适应延迟时间之后保持将所述SR FET驱动到所述导电状态；以及

响应于所述漏极-源极电压大于关断阈值电压而停止将所述SR FET驱动到所述导电状态。

6.一种电源转换器，包括：

初级侧，所述初级侧包括：

变压器的初级绕组，所述初级绕组限定第一引线和第二引线；

并联电感，所述并联电感连接在所述变压器的所述初级绕组的所述第一引线与所述第二引线之间；

谐振电感器，所述谐振电感器连接到所述变压器的所述初级绕组的所述第一引线；

谐振电容器；和

高侧场效应晶体管FET，所述高侧FET被配置为选择性地将电流从电源传导到开关节点；和

次级侧，所述次级侧包括：

所述变压器的次级绕组，所述次级绕组限定第三引线和第四引线；

同步整流SR场效应晶体管FET，所述SR FET包括漏极，所述漏极耦合到所述变压器的所述第三引线或所述第四引线中的一者并限定漏极-源极电压；和

整流控制器，所述整流控制器耦合到所述SR FET并且被配置为响应于所述漏极-源极电压小于导通阈值电压持续自适应延迟时间而将所述SR FET驱动到导电状态；并且

其中所述整流控制器被配置为使用所述漏极-源极电压与自适应延迟电压之间的比较的第一状态转变与第二状态转变之间的时间差来调节所述自适应延迟时间。