[发明专利]单晶圆电池保护电路、充放电电路及便携式电子设备有效

专利信息
申请号: 202010566475.2 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111614071B 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 谭健;蒋锦茂 申请(专利权)人: 苏州赛芯电子科技股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H02J7/00
代理公司: 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 代理人: 史慧敏
地址: 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 单晶圆 电池 保护 电路 放电 便携式 电子设备
【权利要求书】:

1.一种单晶圆电池保护电路,应用于电池充电电路,其特征在于,所述单晶圆电池保护电路包括:基本保护电路、栅极衬底控制电路、充放电控制MOS管和钳压MOS管;

所述基本保护电路耦接所述栅极衬底控制电路;

所述钳压MOS管的栅极和衬底均连接至源极,所述钳压MOS管的源极接收供电电压,所述钳压MOS管的栅极连接所述栅极衬底控制电路;

所述充放电控制MOS管的栅极和衬底分别连接所述栅极衬底控制电路,所述充放电控制MOS管耦接所述基本保护电路和所述栅极衬底控制电路;

所述电池充电电路包括充电器、电池以及RC滤波电路,所述充电器的正极在充电时与所述电池的正极连接,所述充电器的负极通过所述充放电控制MOS管与所述电池的负极连接,所述RC滤波电路与所述电池并联连接,所述RC滤波电路包括第一电阻和第一电容,所述第一电阻的一端连接至所述电池的正极,所述第一电阻的另一端连接所述基本保护电路的供电电压端、所述钳压MOS管的源极和所述第一电容的一端,所述第一电容的另一端与所述电池的负极连接;

其中,所述钳压MOS管为PMOS,在所述电池正极的电压低于所述钳压MOS管的击穿电压时,所述钳压MOS管为高阻态,所述供电电压等于所述电池正极的电压;所述电池正极的电压高于所述钳压MOS管的击穿电压时,所述供电电压等于所述击穿电压,所述供电电压与所述栅极衬底控制电路的输出端之间的电压比所述击穿电压多出来的电压落在所述第一电阻上,所述钳压MOS管的电压维持在击穿电压区。

2.根据权利要求1所述的单晶圆电池保护电路,其特征在于,所述栅极衬底控制电路包括栅极控制单元和衬底控制单元,所述栅极控制单元与所述充放电控制MOS管的栅极连接,所述衬底控制单元与所述充放电控制MOS管的衬底连接。

3.根据权利要求2所述的单晶圆电池保护电路,其特征在于,所述单晶圆电池保护电路进一步包括第十二逻辑单元、第十三逻辑单元和过温保护电路,所述第十二逻辑单元的第一输入端连接所述基本保护电路,所述第十二逻辑单元的第二输入端连接所述过温保护电路,所述第十二逻辑单元的输出端连接所述栅极控制单元;所述第十三逻辑单元的第一输入端连接所述基本保护电路,所述第十三逻辑单元的第二输入端连接所述过温保护电路,所述第十三逻辑单元的输出端连接所述栅极控制单元。

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