[发明专利]电路装置、振荡器、电子设备以及移动体有效

专利信息
申请号: 202010563341.5 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN112117969B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 井伊巨树;野宫崇;泽田光章 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;H03B5/32
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 邓毅;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电路 装置 振荡器 电子设备 以及 移动
【权利要求书】:

1.一种电路装置,其特征在于,

该电路装置包含:

电流生成电路,其根据来自温度传感器的温度检测电压和温度补偿数据而生成温度补偿电流;以及

电流电压转换电路,其将所述温度补偿电流转换为温度补偿电压,

所述电流生成电路根据所述温度补偿数据的低位侧比特进行所述温度补偿电流的微调,根据所述温度补偿数据的高位侧比特进行所述温度补偿电流的粗调,

所述电流生成电路包含高次函数电流生成电路,该高次函数电流生成电路根据所述温度检测电压和所述温度补偿数据的高次校正数据,生成二次以上的高次函数电流,

所述高次函数电流生成电路根据作为所述高次校正数据的低位侧比特的高次用低位侧比特进行所述高次函数电流的微调,根据作为所述高次校正数据的高位侧比特的高次用高位侧比特进行所述高次函数电流的粗调。

2.根据权利要求1所述的电路装置,其特征在于,

所述高次函数电流生成电路包含:

函数产生电路,其根据所述温度检测电压而生成镜像输入函数电流,该镜像输入函数电流是对关于温度的函数进行近似的电流;以及

高次用电流镜电路,其通过对所述镜像输入函数电流进行镜像而输出所述高次函数电流,

所述高次用电流镜电路具有:

第1高次用晶体管,所述镜像输入函数电流流过该第1高次用晶体管;

第2高次用晶体管,其对在所述第1高次用晶体管中流过的所述镜像输入函数电流进行镜像;以及

高次用微调电路,其根据所述高次用低位侧比特来调整所述第2高次用晶体管的背栅电压,由此调整所述第2高次用晶体管的电流镜像比。

3.根据权利要求2所述的电路装置,其特征在于,

所述高次用电流镜电路包含高次用粗调电路,该高次用粗调电路以基于所述高次用高位侧比特的电流镜像比对在所述第1高次用晶体管中流过的所述镜像输入函数电流进行镜像。

4.根据权利要求3所述的电路装置,其特征在于,

所述高次用粗调电路具有:

第1粗调用晶体管~第n粗调用晶体管,n为2以上的整数;以及

第1粗调用开关~第n粗调用开关,其设置于所述第1粗调用晶体管~第n粗调用晶体管的栅极与所述第1高次用晶体管的栅极之间。

5.一种电路装置,其特征在于,

该电路装置包含:

电流生成电路,其根据来自温度传感器的温度检测电压和温度补偿数据而生成温度补偿电流;以及

电流电压转换电路,其将所述温度补偿电流转换为温度补偿电压,

所述电流生成电路根据所述温度补偿数据的低位侧比特进行所述温度补偿电流的微调,根据所述温度补偿数据的高位侧比特进行所述温度补偿电流的粗调,

所述电流生成电路包含一次函数电流生成电路,该一次函数电流生成电路根据所述温度检测电压和所述温度补偿数据的一次校正数据而生成一次函数电流,

所述一次函数电流生成电路根据作为所述一次校正数据的低位侧比特的一次用低位侧比特进行所述一次函数电流的微调,根据作为所述一次校正数据的高位侧比特的一次用高位侧比特进行所述一次函数电流的粗调。

6.根据权利要求5所述的电路装置,其特征在于,

所述一次函数电流生成电路包含:

非反相放大器电路,其具有运算放大器和一次用微调电路,将所述温度检测电压放大;以及

一次用粗调电路,

所述一次用微调电路是与所述运算放大器的输出节点、所述运算放大器的反相输入节点以及接地节点电连接的第1可变电阻电路,根据所述一次用低位侧比特来调整第1电阻值与第2电阻值之比,该第1电阻值是所述运算放大器的所述输出节点与所述运算放大器的所述反相输入节点之间的电阻值,该第2电阻值是所述运算放大器的所述反相输入节点与所述接地节点之间的电阻值,

所述一次用粗调电路是电连接在所述非反相放大器电路的输出节点和所述电流电压转换电路的输入节点之间的第2可变电阻电路,根据所述一次用高位侧比特来调整所述非反相放大器电路的所述输出节点与所述电流电压转换电路的输入节点之间的电阻值。

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