[发明专利]一种基于异构集成系统的硅基天线动态模型在审
申请号: | 202010553131.8 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN111755815A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 侍颢;杨磊;齐丹丹;王力;潘宇虎 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十四研究所 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q9/04;H01Q21/00 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 高娇阳 |
地址: | 210039 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 集成 系统 天线 动态 模型 | ||
1.一种基于异构集成系统的硅基天线动态模型,包括辐射层(1),耦合层(2),微带馈电层(3),阵列天线地层(4),辐射金属隔离柱(5),馈电金属隔离柱(6)以及馈电连接器(7),其特征在于:所述辐射层(1),耦合层(2),馈电层(3)均为采用标准硅工艺制作的单层射频结构,所述辐射金属隔离柱(5)位于辐射层(1)和耦合层(2)之间,所述馈电金属隔离柱(6)位于耦合层(2)阵列天线地层(4)之间,所述馈电连接器(7)通过微带馈电层(3)与耦合层(2)、有源辐射层(1)实现射频互联。
2.根据权利要求1所述的一种基于异构集成系统的硅基天线动态模型,其特征在于:所述辐射层(1)包括辐射金属贴片(11)、辐射金属隔离柱(12),辐射层Si基板(13),辐射金属贴片(11)尺寸可调、辐射金属隔离柱(12)形成的腔体尺寸可调,辐射层Si基板(13)材料可更换。
3.根据权利要求1所述的一种基于异构集成系统的硅基天线动态模型,其特征在于:所述耦合层(2)包括辐射金属隔离柱(21)、耦合层Si基板(22),馈电金属隔离柱(23),耦合缝隙(24),所述辐射层(1)置于耦合层(2)上方,所述馈电层(3)置于耦合层(2)下方,所述辐射金属隔离柱(21)、馈电金属隔离柱(23)形成的腔体尺寸可调、耦合层Si基板(22)材料可更换,所述耦合缝隙(24)尺寸可调。
4.根据权利要求1所述的一种基于异构集成系统的硅基天线动态模型,其特征在于:所述微带馈电层(3)包括微带馈电线(31)、耦合层Si基板(32)、金属地层(33)、馈电金属隔离柱(34)、馈电连接器(35),所述微带馈电线(31)尺寸可调,所述耦合层Si基板(32)材料可更换,所述馈电金属隔离柱(34)形成的腔体尺寸可调,所述馈电连接器(35)的馈电方式可选。
5.根据权利要求4所述的一种基于异构集成系统的硅基天线动态模型,其特征在于:所述带馈电线(31)与馈电连接器(7)内导体连接,所述金属地层(33)和馈电连接器(35)的外导体均与阵列天线地层(4)连接。
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