[发明专利]一种CoCrNiCuMn-TiN-TiC-WC复合材料的制备方法有效
| 申请号: | 202010544026.8 | 申请日: | 2020-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN111663069B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
| 发明(设计)人: | 邹芹;李艳国;王明智;熊建超 | 申请(专利权)人: | 燕山大学 |
| 主分类号: | C22C29/16 | 分类号: | C22C29/16;C22C1/05;C22C1/10;B22F9/04;B22F3/10;B22F3/14;B22F3/24;C22C30/02;C22C29/02 |
| 代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 赵淑梅;李洪福 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 cocrnicumn tin tic wc 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种CoCrNiCuMn-TiN-TiC-WC复合材料的制备方法,其特征在于,一种CoCrNiCuMn-TiN-TiC-WC复合材料,其原料配方为CoCrNiCuMn、TiNx、TiC和WC;其中所述TiNx中的x=0.3~0.9或x=1.1~1.3;
所述CoCrNiCuMn的质量百分比为5~20wt.%,TiNx的质量百分比为20~50wt.%,WC的质量百分比为2~10wt.%,余量为TiC;
制备方法包括以下步骤:
S1、制备150nm以细的CoCrNiCuMn粉末;
将Co、Cr、Ni、Cu、Mn粉末进行球磨,制得150nm以细的CoCrNiCuMn粉末;
S2、制备150nm以细的TiNx粉末;
将按预设摩尔比的Ti粉和CH4N2O进行球磨,制得150nm以细的TiNx粉末,其中x=0.3~0.9或x=1.1~1.3;
S3、制备150nm以细的TiC粉末;
将TiC粉末进行球磨,制得150nm以细的TiC粉末;
S4、制备150nm以细的WC粉末;
将WC粉末进行球磨,制得150nm以细的WC粉末;
S5、混料、预压、真空热压烧结制得CoCrNiCuMn-TiN-TiC-WC复合材料;
称取质量百分比为5~20wt.%的所述CoCrNiCuMn粉末,质量百分比为20~50wt.%的所述150nm以细的TiNx粉末,质量百分比为2~10wt.%的所述150nm以细的WC粉末,并将其一起加入所述150nm以细的TiC粉末中进行球磨,得到混合料;
将所述混合料装入硬质合金模具中预压,得到样品;
对所述样品进行真空热压烧结,制得CoCrNiCuMn-TiN-TiC-WC复合材料;
所述真空热压烧结的工艺为:
烧结压力为40~50MPa,真空度为40Pa,以10~30℃/min的升温速率将烧结温度提升至1200~1800℃,之后保温20~90min,最后降温卸压,制得CoCrNiCuMn-TiN-TiC-WC复合材料;
所述以10~30℃/min的升温速率将烧结温度提升至1200~1800℃的过程中:以10~30℃/min的升温速率从室温升到1000℃,在1000℃保温20min;再以10~30℃/min的升温速率从1000℃升到1200~1800℃;
在所述降温卸压后,对降温卸压获得的毛坯进行表面磨削、去毛刺处理,得到所述CoCrNiCuMn-TiN-TiC-WC复合材料。
2.根据权利要求1所述的CoCrNiCuMn-TiN-TiC-WC复合材料的制备方法,其特征在于:在所述步骤S1中,Co、Cr、Ni、Cu、Mn按照1:1:1:1:1摩尔比混合进行球磨,且Co、Cr、Ni、Cu、Mn粉末纯度>99%,其中,Co粉末粒径为1~3μm,Cr粉末粒径<75μm,Ni、Cu、Mn粉末粒径<45μm。
3.根据权利要求1所述的CoCrNiCuMn-TiN-TiC-WC复合材料的制备方法,其特征在于:在所述步骤S2中,所述Ti粉和所述CH4N2O的预设摩尔比为6:1或5:1或4:1或10:3或20:7或5:2或20:9或20:11或5:3或20:13,且所述Ti粉末的粒径为<30μm,纯度为>99.36%,所述CH4N2O的纯度为分析纯>99%。
4.根据权利要求1所述的CoCrNiCuMn-TiN-TiC-WC复合材料的制备方法,其特征在于:在所述步骤S3中,所述TiC粉末的粒径为1~3μm,纯度为>99%;在所述步骤S4中,所述WC粉末的粒径为1~3μm,纯度为>99%。
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