[发明专利]像素驱动电路及显示面板

说明书

本申请实施例提供一种像素驱动电路及显示面板，该像素驱动电路采用2T2C的电路结构，通过常态信号控制第一晶体管T1或第二晶体管T2保持常开，并将其中栅极接入常态信号而常开的一个晶体管连接公共端，而将另一个晶体管接入行扫描信号和数据信号作为驱动开关，从而对液晶电容和存储电容进行充电，由此通过第一晶体管T1和第二晶体管T2使该像素驱动电路能在低频或高频交替工作，以满足不同的工作需求。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路及显示面板。

背景技术

目前的显示技术要求同时适用于高频和低频的情况，以使显示面板不仅具有高频带来的画质流畅的优点，还具有低频带来的低功耗的优点，因此，动态帧频技术应运而生，该技术可以实时调节显示面板的刷新频率，由此同时满足超低频和超高频的显示需求。对于低频的显示需求，由于低频状态每帧画面的holding时间延长为原先的数十倍，因此要求显示面板的画面保持能力强；对于高频的显示需求，由于每行像素的充电时间极短，因此需要显示面板的充电能力强，并且，如果用高刷新率显示静止或速度较低的物体影像，反而会造成显示面板逻辑功耗过高的问题。

传统的背板技术有A-Si、LTPS、IGZO技术，与a-Si(非晶硅)技术相比，LTPS(低温多晶硅)和IGZO(氧化铟镓锌)两种技术由于迁移率较高而被广泛应用。其中，由于LTPS技术比IGZO技术的迁移率更高、器件所占面积更小，因此充电能力更强，更适合于高频时的应用；而IGZO技术比LTPS技术的均匀性更好、漏电流较小，因此更加省电、画面保持(holding)能力更强，更适合于低频时的应用。可以理解的是，传统的背板技术由于技术的单一性，导致性能优点的单一性，无法满足动态帧频的需求。

参考图1，图1为现有的1T2C结构的像素驱动电路图，该电路包括驱动开关T10、存储电容Cst、液晶电容Clc，其中，驱动开关T10的栅极的输入为当前行栅线输出信号G(n)，漏极与存储电容Cst和液晶电容Clc的一端电性连接，源极与数据线电性连接。当前行栅线输出信号G(n)送入信号控制驱动开关T10的开关，当T10打开时数据线将液晶电容Clc和存储电容Cst充电到所需要的的电压后T10关闭，存储电容Cst放电来维持液晶电容Clc的电压保持到下一次更新。该1T2C电路工作时，由于驱动开关T10只能是单一类型的TFT，而每种TFT都有其优点和缺点，因此该1T2C电路不适用于动态帧频技术的需求，故需要设计新的像素驱动电路以适用于动态帧频技术。

发明内容

为了解决传统的1T2C电路不适用于动态帧频技术的需求的问题，第一方面，本申请提供一种像素驱动电路，该电路包括：第一晶体管、第二晶体管、液晶电容和存储电容；所述第一晶体管和所述第二晶体管均分别包括源极、栅极和漏极，所述液晶电容和所述存储电容均分别包括第一端和第二端。

其中，所述第一晶体管的漏极分别电性连接所述液晶电容的第一端和所述存储电容的第一端，所述第二晶体管的漏极分别电性连接所述液晶电容的第二端和所述存储电容的第二端；所述第一晶体管的栅极接入常态信号，源极接入公共信号，且所述第二晶体管的栅极接入行扫描信号，源极接入数据信号；或者，所述第一晶体管的栅极接入行扫描信号，源极接入数据信号，且所述第二晶体管的栅极接入常态信号，源极接入公共信号。

在一些实施例中，所述第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二晶体管为氧化物半导体薄膜晶体管；

所述第一晶体管的栅极接入第一常态信号，源极接入公共信号，漏极分别电性连接所述液晶电容的第一端和所述存储电容的第一端，并且所述第二晶体管的栅极接入行扫描信号，源极接入数据信号，漏极分别电性连接所述液晶电容的第二端和所述存储电容的第二端。

在一些实施例中，所述第一晶体管的栅极连接行扫描信号，源极接入数据信号，漏极分别电性连接所述液晶电容的第一端和所述存储电容的第一端，并且所述第二晶体管的栅极接入第二常态信号，源极接入公共信号，漏极分别电性连接所述液晶电容的第二端和所述存储电容的第二端。