[发明专利]基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法

权利要求书

1.一种基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：

S1：根据永磁体实际充退磁过程情况，建立永磁体实际充退磁过程有限元仿真模型，并对永磁体中磁感应强度矢量分布进行仿真；

S2：根据仿真结果，确定永磁体不同区域的磁化方向；

S3：建立非线性永磁体磁滞模型，其中永磁体部分根据充退磁仿真结果，将永磁体依据磁化方向的不同进行分段建模；

S4：根据非线性永磁体磁滞模型，对非线性永磁体非饱和充磁状态下的磁滞回线进行建模，从而得到非线性永磁体非饱和充磁状态下的B-H曲线；

S5：基于有限元仿真软件FLUX，建立永磁体电磁机构的仿真模型，将得到的B-H曲线设置为该仿真模型中永磁体材料参数，再对所需求的各项继电器电磁参数进行仿真。

2.根据权利要求1所述的基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法，其特征在于所述S4中，对非线性永磁体非饱和充磁下的磁滞回线进行建模的方法如下：

采用Preisach模型对AlNiCo永磁磁滞回线进行建模，具体计算公式如下：

式中，H为变量磁场强度，B_i(H)为极限磁化曲线；B_d(H)为磁滞回线的下降支，B_u(H)为磁滞回线的上升支；为起始于(H₁,B₁)的上升支磁滞回线；为起始于(H₁,B₁)的下降支磁滞回线；其中：

B_u(H)＝-B_d(-H) (4)；

3.根据权利要求1所述的基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法，其特征在于所述S4中，非饱和充磁情况下的永磁体磁滞曲线的第二象限部分为充退磁后的永磁实际工作点迁移B-H曲线。