[发明专利]一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器及其制备方法在审
| 申请号: | 202010475556.1 | 申请日: | 2020-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN111595381A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
| 发明(设计)人: | 刘武;訾鹏;梁贺龙;许海军 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
| 主分类号: | G01D21/02 | 分类号: | G01D21/02;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
| 地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 背面 引线 仿生 纤毛 电容 式微 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器,其特征在于,包括顶层、中间层、底层;所述顶层为聚合物纤毛(1),所述中间层为硅结构(5),所述底层为pyrex玻璃结构;
所述硅结构(5)包括变形膜,所述变形膜为聚合物纤毛(1)的支撑结构;所述硅结构(5)与pyrex玻璃结构阳极键合并在硅结构(5)与pyrex玻璃结构之间形成密闭的电容腔室;
所述pyrex玻璃结构内部嵌入有若干导电引线柱(7);
所述pyrex玻璃结构靠近硅结构(5)的一侧中部设置有公共电容极板(2);所述公共电容极板(2)周侧均匀分布有若干差分电容极板(4);
所述pyrex玻璃结构远离硅结构(5)的一侧设置有若干信号引脚(8);
所述导电引线柱(7)的一端与公共电容极板(2)或差分电容极板(4)相连接,其另一端与信号引脚(8)相连接。
2.根据权利要求1所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器,其特征在于,所述硅结构(5)的材质为低阻导电硅或高阻硅;
当所述硅结构(5)的材质为高阻硅时,所述硅结构(5)靠近pyrex玻璃结构的一侧设置有金属电容上极板(3),所述公共电容极板(2)与差分电容极板(4)的正投影位于所述金属电容上极板(3)的正投影内部。
3.一种根据权利要求1或2所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
A、底层pyrex玻璃结构的制备;
B、中间层硅结构(5)的制备;所述硅结构(5)的材质为低阻导电硅;
C、通过阳极键合实现硅结构(5)与pyrex玻璃结构组合,完成信号引脚(8)和中间层之上多余结构的去除、顶层聚合物纤毛(1)的制备,即得所述背面引线的仿生纤毛电容式微传感器。
4.根据权利要求3所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法,其特征在于,步骤A具体包括如下步骤:
a、光刻胶掩膜刻蚀低阻导电硅片;
b、刻蚀后的低阻硅片去除光刻胶后与Pyrex玻璃的阳极键合;
c、高温回流Pyrex玻璃,再双面研磨抛光,形成嵌入导电硅柱的Pyrex玻璃结构(6);
d、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法,将溅射的Cr/Pt薄膜图形化,制备Pyrex玻璃结构(6)上的公共电容极板(2)和差分电容极板(4);
e、采用PECVD或溅射方式,制备公共电容极板(2)和差分电容极板(4)氮化硅保护层,再光刻胶掩膜湿法去除多余氮化硅保护层。
5.根据权利要求3所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法,其特征在于,步骤B具体包括如下步骤:
f、清洗器件层为低阻导电硅的硅片;
g、光刻胶掩膜,DRIE刻蚀低阻导电硅片制作电容间隙,得到所述硅结构(5)。
6.根据权利要求3所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法,其特征在于,步骤C具体包括如下步骤:
h、阳极键合Pyrex玻璃结构(6)和硅结构(5)并在Pyrex玻璃结构(6)和硅结构(5)之间形成电容腔室,键合面为低阻导电硅;
i、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法,将溅射的Cr/Au薄膜图形化,在pyrex玻璃结构远离硅结构(5)的一侧制备信号引脚(8);
j、刻蚀硅结构(5)的支撑层硅和埋层氧化硅;
k、旋涂SU-8负胶,光刻图形化后固化得到所述聚合物纤毛(1)。
7.一种根据权利要求1或2所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
A1、底层pyrex玻璃结构的制备;
B1、中间层硅结构(5)的制备,所述硅结构(5)的材质为高阻硅,在硅结构(5)靠近pyrex玻璃结构的一侧制备金属电容上极板(3);
C1、通过阳极键合实现硅结构(5)与pyrex玻璃结构组合,完成信号引脚(8)和中间层之上多余结构的去除、顶层聚合物纤毛(1)的制备,即得所述背面引线的仿生纤毛电容式微传感器。
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