[发明专利]图像传感器在审

专利信息
申请号: 202010473620.2 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN112866595A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 张在亨 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/376;H04N5/378;H01L27/146
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种图像感测装置,该图像感测装置包括:

基板;

光电转换元件,所述光电转换元件设置在所述基板中,并且被配置为响应于入射光而产生光电荷;

第一浮置扩散节点和第二浮置扩散节点,所述第一浮置扩散节点和所述第二浮置扩散节点设置在所述基板中,以分别在所述光电转换元件的相对两侧与所述光电转换元件间隔开;

第一传输栅极,所述第一传输栅极设置在所述基板上,以至少部分地与所述光电转换元件和所述第一浮置扩散节点交叠;以及

第二传输栅极,所述第二传输栅极设置在所述基板上,以至少部分地与所述光电转换元件和所述第二浮置扩散节点交叠,

其中,所述第一传输栅极和所述第二传输栅极中的每一个包括至少部分地与所述光电转换元件交叠的第一栅极电介质层和至少部分地与所述第一浮置扩散节点或所述第二浮置扩散节点交叠的第二栅极电介质层,并且

其中,所述第一栅极电介质层的厚度大于所述第二栅极电介质层的厚度。

2.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,所述光电转换元件包括沿所述基板的表面设置的钉扎层和设置在所述钉扎层下方并掺杂有n-型杂质的光电转换层。

3.根据权利要求2所述的图像感测装置,其中,所述光电转换层的宽度大于所述钉扎层的宽度。

4.根据权利要求2所述的图像感测装置,其中,所述钉扎层包括掺杂有p+型杂质的第一钉扎层和掺杂有p-型杂质的第二钉扎层,并且所述第二钉扎层设置在所述第一传输栅极或所述第二传输栅极下方。

5.根据权利要求1所述的图像感测装置,该图像感测装置还包括:

光电转换栅极,该光电转换栅极在所述第一传输栅极和所述第二传输栅极之间设置在与所述光电转换元件的中央部分相对应的区域。

6.根据权利要求5所述的图像感测装置,其中,所述光电转换栅极包括第一栅极电介质层和设置在所述第一栅极电介质层上方的光电转换栅电极。

7.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,所述第一传输栅极还包括设置在所述第一传输栅极的所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层上方的第一传输栅电极,并且所述第二传输栅极还包括设置在所述第二传输栅极的所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层上方的第二传输栅电极。

8.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,所述第一传输栅极被配置为在第一时段期间接收对应于逻辑高电平的第一传输信号,并且与所述第一传输栅极的所述第一栅极电介质层的下侧相对应的区域的电势低于与所述第一传输栅极的所述第二栅极电介质层的下侧相对应的区域的电势。

9.根据权利要求8所述的图像感测装置,其中,所述第二传输栅极被配置为在所述第一时段期间接收与逻辑低电平对应的第二传输信号,并且与所述第二传输栅极的所述第一栅极电介质层的下侧相对应的区域的电势低于与所述第二传输栅极的所述第二栅极电介质层的下侧相对应的区域的电势。

10.根据权利要求9所述的图像感测装置,该图像感测装置还包括设置在所述第一传输栅极和所述第二传输栅极之间的光电转换栅极,并且该光电转换栅极被配置为在所述第一时段期间接收与所述第一传输信号的电压和所述第二传输信号的电压之间的中间电压相对应的信号。

11.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,所述第二传输栅极被配置为在第二时段期间接收对应于逻辑高电平的第二传输信号,并且与所述第二传输栅极的所述第一栅极电介质层的下侧的区域的电势低于与所述第二传输栅极的所述第二栅极电介质层的下侧相对应的区域的电势。

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