[发明专利]一种丝织构薄膜残余应力检测方法有效

专利信息
申请号: 202010470020.0 申请日: 2020-05-28
公开(公告)号: CN111664977B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 盛捷;王召;赵瑜;李伟力;刘超前;费维栋 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G01L1/25 分类号: G01L1/25;G01N23/20
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张换男
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 丝织 薄膜 残余 应力 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种丝织构薄膜残余应力检测方法,其特征在于,所述方法具体包括以下步骤:

步骤一、建立样品坐标系S、晶体物理坐标系C和测试坐标系L,所述样品坐标系S、晶体物理坐标系C和测试坐标系L均为三维笛卡尔直角坐标系,且样品坐标系S、晶体物理坐标系C和测试坐标系L同原心;

所述样品坐标系S的S3轴垂直于薄膜表面所在的平面,S1轴和S2轴位于薄膜表面所在的平面内;晶体物理坐标系C由晶体结构决定;样品坐标系S绕自身的S1轴旋转ψ角获得测试坐标系L,测试坐标系L的L3轴平行于衍射晶面的衍射矢量方向;

引入中介坐标系L′,中介坐标系L′的L′3轴与晶体物理坐标系C中的(h,k,l,)矢量平行,L′1轴和L′2轴分别与晶体物理坐标系C中的(l2+k2,–kh,–lh)和(0,l,–k)矢量平行,h、k、l为样品择优取向生长晶面的米勒指数;中介坐标系L′与样品坐标系S的关系由角和角ψ确定,是L′1轴绕S3轴旋转的角度;

步骤二、将样品在晶体物理坐标系C下的柔度张量变换到样品坐标系S下,并通过统计平均求出样品在样品坐标系S下的平均柔性张量;

所述步骤二的具体过程为:

样品在晶体物理坐标系C下的刚度张量的形式为:

其中,(Cij)C为样品在晶体物理坐标系C下的刚度张量形式,C11、C12和C44均为(Cij)C中的张量元;

则样品在晶体物理坐标系C下的柔度张量的形式为:

其中,(Sij)C为样品在晶体物理坐标系C下的柔性张量形式,S11、S12和S44均为(Sij)C中的张量元;

将晶体物理坐标系C下的柔性张量(Sij)C转换到样品坐标系S下的转换矩阵(B)为:

则样品在样品坐标系S下的柔性张量(Sij)S为:

(Sij)S=(B)(Sij)C(B)T (7)

其中,(B)T为(B)的转置;

通过统计平均,得出样品在样品坐标系S下的平均柔性张量(Sij)S为:

其中,(Sij)S为样品在样品坐标系S下的平均柔度张量,f(ψ)是(hkl)择优取向的分布函数;

将样品在样品坐标系S下的平均柔度张量整理成公式(9)的形式:

其中:和均为(Sij)S中的张量元;

步骤三、利用步骤二求出的样品在样品坐标系S下的平均柔性张量,并基于广义胡克定律,求出样品在样品坐标系S下的应变张量εS

所述步骤三的具体过程为:

令样品坐标系S下样品的待测残余应力σS为:

其中,σ1为主应力,通过张量收缩,将公式(11)改写为公式(12)的形式;

σS=(σ1 σ1 0 0 0 0)T (12)

基于广义胡克定律,得到样本在样品坐标系S下的应变张量εS

εS=(Sij)SσS (13)

基于张量收缩的逆变换,将公式(13)的应变张量εS写成公式(14)的形式:

步骤四、将样品在样品坐标系S下的应变张量εS转换到测试坐标系L下,得到样品在测试坐标系L下的应变张量εL;应变张量εL中衍射矢量方向的张量元为通过数学变换得到待测残余应力与2θψ-sin2ψ曲线斜率之间的关系;

所述步骤四的具体过程为:

应变张量εS由样品坐标系S向测试坐标系L转换的转换矩阵aLS为:

样品在测试坐标系L下的应变张量εL为:

εL=aLSεS(aLS)-1 (16)

应变张量εL中衍射矢量方向的张量元为:

同时,

其中,θ0为无应力时所测晶面的布拉格角,θ为入射矢量和衍射矢量夹角的1/2,Δ2θ表示对2θ的微分;

则通过数学变换得:

其中,为2θψ-sin2ψ关系曲线的斜率,将σ1代入公式(12)得到待测残余应力与2θψ-sin2ψ曲线斜率之间的关系;

根据计算出的2θψ-sin2ψ曲线斜率,得到样品的残余应力。

2.根据权利要求1所述的一种丝织构薄膜残余应力检测方法,其特征在于,所述步骤一中,样品坐标系S向中介坐标系L′转换的转换矩阵aL′S为:

晶体物理坐标系C向中介坐标系L′转换的转换矩阵aL′C为:

晶体物理坐标系C向样品坐标系S转换的转换矩阵aSC为:

其中,(aL′S)-1为aL′S的逆矩阵,l1、l2、l3、m1、m2、m3、n1、n2、n3均为aSC中的张量元。

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