[发明专利]退化模拟模型建立方法

权利要求书

1.一种退化模拟模型建立方法，其特征在于，包括：

提供p型MOSFET，其中所述p型MOSFET具有源极与漏极；

测量所述p型MOSFET的第一可靠度退化数据；

选择用于p型MOSFET的模型，所述模型具有相关于热载子感应穿通的多个建模参数，其中所述多个建模参数包括用于修正所述源极于所述漏极之间的模拟电流的热载子注入参数；

通过将多个退化参数乘以相应的多个控制条件参数来构建所述多个建模参数；

以所述模型执行所述p型MOSFET的模拟，以获得第二可靠度退化数据；

若所述第一可靠度数据与所述第二可靠度数据不匹配，更新所述多个退化参数并重新以所述模型执行所述p型MOSFET的所述模拟；以及

当所述第一可靠度数据与所述第二可靠度数据匹配，收集所述多个退化参数以建立用于所述p型MOSFET的退化模拟模型。

2.如权利要求1所述的退化模拟模型建立方法，其特征在于，所述p型MOSFET的等效通道长度小于100纳米。

3.如权利要求1所述的退化模拟模型建立方法，其特征在于，进一步包括：

通过具有线性氮化物的浅沟槽隔离区包围所述p型MOSFET。

4.如权利要求1所述的退化模拟模型建立方法，其特征在于，所述测量所述p型MOSFET的所述第一可靠度退化数据的步骤进一步包括：

测量所述p型MOSFET的所述源极与所述漏极之间的电流，其中所述第一可靠度数据是测量到的所述电流与时间的关系，

其中所述源极与所述漏极之间的电压大于所述源极与所述p型MOSFET的栅极的电压。

5.如权利要求1所述的退化模拟模型建立方法，其特征在于，所述模型包括MOS建模与可靠度分析建模方案模型。

6.如权利要求1所述的退化模拟模型建立方法，其特征在于，所述多个热载子注入参数分别相关于所述p型MOSFET的温度、驱动电压与等效通道长度。

7.如权利要求1所述的退化模拟模型建立方法，其特征在于，每一条件参数是一或是零，并且所述多个控制条件参数是配置用以执行开/关逻辑功能。

8.一种退化模拟模型建立方法，其特征在于，包括：

提供p型MOSFET，其中所述p型MOSFET具有源极与漏极；

测量所述p型MOSFET的第一可靠度退化数据；

选择用于p型MOSFET的模型，所述模型具有用于可靠度的额外的多个建模参数；

以所述模型执行所述p型MOSFET的模拟，以获得模拟可靠度退化数据；

构建具有多个退化参数的拟合函数，所述多个退化参数相关于热载子感应穿通，其中所述多个退化参数是用于修正所述源极与所述漏极之间的模拟电流；

通过将所述模拟可靠度退化数据相加上所述拟合函数以构建出第二可靠度退化数据；

若所述第一可靠度数据与所述第二可靠度数据不匹配，更新所述多个退化参数并重新计算所述拟合函数，以获得改善后的第二可靠度数据；以及

当所述第一可靠度数据与所述第二可靠度数据匹配，收集所述拟合函数与所述多个退化参数以建立用于所述p型MOSFET的退化模拟模型。

9.如权利要求8所述的退化模拟模型建立方法，其特征在于，所述p型MOSFET的等效通道长度小于100纳米。

10.如权利要求8所述的退化模拟模型建立方法，其特征在于，进一步包括：

通过具有线性氮化物的浅沟槽隔离区包围所述p型MOSFET。